[实用新型]一种新型的石墨舟对中装置有效
申请号: | 202021080754.X | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN212342587U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 李苗苗;李静 | 申请(专利权)人: | 上海亿横精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海首言专利代理事务所(普通合伙) 31360 | 代理人: | 刘宏博 |
地址: | 201617 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 石墨 装置 | ||
本实用新型公开了一种新型的石墨舟对中装置,包括支架和固定杆,所述支架的右端下方设置有倾斜滑轨,且倾斜滑轨的右端设置有盖板,所述盖板的下方开设有第一凹槽,所述限位块的右端设置有晶片,所述稳固盘的后方开设有第二凹槽,且稳固盘的右端开设有盲孔,所述盲孔的右端开设有通孔,且通孔的内部设置有支杆,所述固定杆位于支杆的下方,所述螺丝的右端安装有安装座。该新型的石墨舟对中装置,与现有的普通石墨舟对中装置相比,增加结构的同时大大提高了整个石墨舟对中装置的使用性能,改良后的石墨舟对中装置内部拥有石墨盖板及底盘对中结构,并且拥有对晶片进行支撑和限位结构,有效满足了人们的使用需求。
技术领域
本实用新型涉及石墨舟对中装置技术领域,具体为一种新型的石墨舟对中装置。
背景技术
在半导体晶圆制备中,器件与外部的连接需要具有欧姆接触的金属电极来完成,因此在金属蒸发后需要快速退火来改善金属与半导体欧姆接触,由于化合物半导体 材料不能像硅片那样充分吸收光的能量,所以在化合物半导体退火工艺中,我们通常将晶片放置到石墨舟里,然后再将石墨舟放置腔室内进行工艺。
现有的石墨舟对中装置内外部结构均较为简单,不能很好对石墨舟的盖板及底盘进行支撑和对中,不能很好对石墨舟内部的晶片进行支撑,不能很好的对石墨舟内部的晶片进行防护,不能很好的满足人们的使用需求,针对上述情况,在现有的石墨舟对中装置基础上进行技术创新。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种新型的石墨舟对中装置,以解决上述背景技术中提出一般的石墨舟对中装置内外部结构均较为简单,不能很好对石墨舟的盖板及底盘进行支撑和对中,不能很好对石墨舟内部的晶片进行支撑,不能很好的对石墨舟内部的晶片进行防护,不能很好的满足人们的使用需求问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型的石墨舟对中装置,包括支架和固定杆,所述支架的右端下方设置有倾斜滑轨,且倾斜滑轨的右端设置有盖板,所述盖板的下方开设有第一凹槽,且第一凹槽的右端下方设置有限位块,所述限位块的右端设置有晶片,且晶片的左端下方安装有稳固盘,所述稳固盘的后方开设有第二凹槽,且稳固盘的右端开设有盲孔,所述盲孔的右端开设有通孔,且通孔的内部设置有支杆,所述固定杆位于支杆的下方,且固定杆的左端下方设置有螺丝,所述螺丝的右端安装有安装座,且安装座的右端下方设置有底座。
优选的,所述第一凹槽的外表面与倾斜滑轨的外表面相贴合,且倾斜滑轨贯穿于第一凹槽的内部。
优选的,所述限位块与稳固盘为镶嵌式,且晶片的外表面与限位块的外表面相贴合。
优选的,所述稳固盘的中轴线与晶片的中轴线之间相重合,且支杆贯穿于稳固盘的内部。
优选的,所述支杆与固定杆构成一体化结构,且支杆关于稳固盘的中心位置呈圆周分布。
优选的,所述固定杆与安装座构成一体化结构,且安装座通过螺丝与底座相连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
1.本实用新型通过支架、倾斜滑轨的设置,有利于对稳固盘通过倾斜滑轨进行滑落,支架可对稳固盘进行限位,同时可使稳固盘与装置进行对中,盖板的设置,有利于对晶片在石墨舟中进行防护,避免晶片在加工时受到损坏;
2.本实用新型通过第一凹槽的设置,有利于使盖板的第一凹槽与倾斜滑轨进行贴合,倾斜滑轨可对盖板进行支撑和对中,限位块的设置,有利于在放置晶片时,可对晶片进行限位固定,避免晶片在石墨舟中出现位置现象;
3.本实用新型通过通孔的设置,便于支杆穿过稳固盘的内部,对晶片进行支撑,固定杆承担稳固盘的重量,可增强稳固盘的稳定性,安装座的设置,后期便于通过螺丝与底座进行更换与保养。
附图说明
图1为本实用新型主视结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造