[实用新型]一种测试结构

说明书

本申请实施例提供了一种测试结构，可以包括第一金属线、第二金属线，以及第一金属线和第二金属线之间的介质层，第一金属线用于连接第一电压，第二金属线用于连接第二电压，其中，第一金属线通过连接入一个电编程熔丝来连接第一电压，和/或，第二金属线通过连接入一个电编程熔丝来连接第二电压。第一电编程熔丝和第二电编程熔丝在正常工作时电阻较小，但是在介质层击穿之后整个电路回路中产生较大的电流，此时第一金属接入的电编程熔丝和/或第二金属接入的电编程熔丝的电阻骤然变大，此时的电编程熔丝由于大电阻起到分压/降电流作用，抑制了电介质击穿处的电流而减弱击穿损伤，利于后期对击穿位置的物理失效分析。

技术领域

本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种测试结构。

背景技术

Low-k(低介电常数)材料(k3.0)由于其固有的低介电常数，可产生较低的电容值，因而已经被广泛的应用于半导体制造领域，如作为填充于金属层间的介质层材料。所以，在后段工艺(Back End Of Line，BEOL)采用Low-k材料制成的介质层，其击穿电压(breakdown voltage，Vbd)会明显降低，这就对BEOL的工艺的可靠性提出了更高的要求，对BEOL制造的半导体器件的形成进行测试也变得至关重要。

具体的，在第一金属线和第二金属线之间形成有介质层，在第一金属线上施加第一电压，在第二金属线上施加第二电压，第一低压和第二电压不同，则其间的介质层可能被击穿，从而可以评估介质层的介电击穿特性。然而，目前，在介质层发生击穿后，容易出现严重的烧灼损伤，不利于对击穿位置进行分析。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种测试结构，降低测试过程中的烧灼损伤，利于后续对测试结果的分析。

为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技术方案：

本申请实施例提供了一种测试结构，包括：

第一金属线，第二金属线，所述第一金属线和所述第二金属线之间的介质层；所述第一金属线用于连接第一电压，所述第二金属线用于连接第二电压；

其中，所述第一金属线通过第一电编程熔丝连接第一电压，和/或，所述第二金属线通过第二电编程熔丝连接第二电压。

可选的，所述第一电编程熔丝和所述第二电编程熔丝为金属硅化物层。

可选的，所述第一金属线和所述第二金属线位于同一平面内，且均为梳状结构，均具有多个导电梳齿，所述导电梳齿相互交错，形成梳状对梳状的结构。

可选的，所述第一金属线和所述第二金属线位于同一平面内，所述第一金属线为梳状结构，具有多个导电梳齿，所述第二金属线为蛇形弯曲结构，所述第二金属线环绕所述导电梳齿，所述导电梳齿嵌于所述蛇形弯曲的第二金属线构成的凹槽中。

可选的，所述第一金属线和所述第二金属线位于不同平面内，所述第一金属线和所述第二金属线结构相同且上下对准重叠设置，所述第一金属线和所述第二金属线为梳状结构或蛇形弯曲结构，所述梳状结构具有多个导电梳齿。

可选的，所述第一金属线和所述第二金属线位于同一平面内且为相互平行的直线或蛇形弯曲结构。

可选的，所述导电梳齿具有延伸的多个子结构。

可选的，所述第一金属线上设置有第一金属端子，所述第一金属端子与所述第一电编程熔丝连接，所述第一电编程熔丝连接所述第一电压；和/或，所述第二金属线上设置有第二金属端子，所述第二金属端子与所述第二电编程熔丝连接，所述第二电编程熔丝连接所述第二电压。

可选的，所述第一金属线和所述第二金属线为铜线或铝线。