[实用新型]金刚石厚导电膜的生长装置

权利要求书

1.金刚石厚导电膜的生长装置，包括一个成膜仓，所述的成膜仓侧面具有侧门，侧门和成膜仓可气密性连接，还有一个成膜平台安装在成膜仓中，所述的成膜仓还连接有高压进气管，在成膜仓内还有电加热管；其特征是：所述的电加热管可使成膜仓温度达到300—350℃。

2.根据权利要求1所述的金刚石厚导电膜的生长装置，其特征是：所述的加热管是两层的，分别是上层电加热管和下层电加热管，所述的上层电加热管朝下对着成膜平台，所述的下层电加热管朝上对着成膜平台。

3.根据权利要求1或2所述的金刚石厚导电膜的生长装置，其特征是：所述的成膜仓内具有滑道，所述的成膜平台下面有辊轮安装在滑道上，还有振动电机安装在成膜平台上。

4.根据权利要求3所述的金刚石厚导电膜的生长装置，其特征是：所述的成膜平台上面是耐高温的上下透气的网格布。

5.根据权利要求4所述的金刚石厚导电膜的生长装置，其特征是：所述的成膜仓还安装有循环管，所述的循环管具有进口和出口，所述的进口和出口分别有多个，所述的进口朝下对着成膜平台，所述的出口朝上对着成膜平台。