[实用新型]半导体集成晶体管封装结构

权利要求书

1.半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体(1)，所述塑封体(1)上开设有供半导体集成晶体管的引脚(2)引出的引脚孔，其特征在于：所述塑封体(1)的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体(1)上左、右开设，或六个引脚孔分别于塑封体(1)上左、右对称开设，各引脚孔的开设位置距离塑封体(1)底部的高度为塑封体(1)高度的1/3。

2.根据权利要求1所述的半导体集成晶体管封装结构，其特征在于：所述塑封体(1)长度的上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米。

3.根据权利要求1所述的半导体集成晶体管封装结构，其特征在于：所述塑封体(1)宽度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

4.根据权利要求1所述的半导体集成晶体管封装结构，其特征在于：所述塑封体(1)高度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体集成晶体管封装结构，其特征在于：所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比为6：3。

6.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体集成晶体管封装结构，其特征在于：所述上模型腔槽和下模型腔槽均为易于开模的梯形体。