[实用新型]半导体集成晶体管封装结构

说明书

本实用新型公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。本实用新型从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术，具体为一种半导体集成晶体管封装结构。

背景技术

封装结构是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，所述外壳不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装结构的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。由于封装结构的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。

目前，小外形晶体管常用的封装结构有SOT-23型和SC-59型两种，其中：

1、SOT-23型封装为欧式窄管体，该封装结构的塑封体长为2.9mm，宽为1.3mm，高为1.0mm。

2、SC-59(又称SOT-23-3L或5L或6L)封装为日式宽管体，该封装结构的塑封体长为2.9mm，宽为1.6mm，高为1.0mm。

对于小信号晶体管而言，由于二者在印刷电路板上的位置相同，使用起来没有任何差别；而对于功率晶体管而言，由于SOT-23-3L或5L或6L型的塑封体相对SOT-23型较宽，可以封装更大的芯片，所以在功耗方面SOT-23-3L或5L或6L型比较有优势。但是SOT-23-3L或5L或6L型因为在引线框架的设计时采用了一种密度宽松的结构，封装生产时效率较低，造成生产的成本较高，从而降低了产品的竞争性。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型所要解决的技术问题是提出了一种具有SOT-23型引线框架密度和SOT-23-3L或5L或6L型功耗要求的半导体集成晶体管封装结构。

能够解决上述技术问题的半导体集成晶体管封装结构，其技术方案包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所不同的是所述塑封体的前、后长度为2.9mm，左、右宽度为1.65mm，上、下高度为0.9mm；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，或六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，各引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。

按设计要求，所述塑封体长度的上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米。

按设计要求，所述塑封体宽度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

按设计要求，所述塑封体高度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

按常规，所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比为6：3。

按常规，所述上模型腔槽和下模型腔槽均为易于开模的梯形体。

本实用新型的有益效果：

1、与现有技术相比，本实用新型从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。