[实用新型]发光二极管有效
申请号: | 202021129199.5 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN212434645U | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 张学双;马拥军 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/36 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 李镇江 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
透明衬底;
依次位于所述透明衬底第一表面的第一外延层、有源层、第二外延层,所述第一外延层与所述第二外延层的掺杂类型不同;
电流扩展层,位于所述第二外延层表面,所述电流扩展层为台阶状;
第一电极,与所述第一外延层部分接触;
第二电极,位于所述电流扩展层表面,
其中,靠近所述第二电极的电流扩展层的厚度大于靠近所述第一电极的电流扩展层的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述电流扩展层包括:
第二电流扩展层,位于所述第二外延层表面且覆盖部分所述第二外延层;以及
第一电流扩展层,位于所述第二外延层和所述第二电流扩展层表面,所述第一电流扩展层形成台阶状,
所述第二电极与所述第二外延层之间包含所述第一电流扩展层和所述第二电流扩展层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第二外延层覆盖所述有源层,所述有源层覆盖至少部分所述第一外延层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,还包括:
金手指结构,位于所述电流扩展层表面且与所述第二电极电连接,所述金手指结构包括至少一条金手指。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述至少一条金手指为直线型金手指,所述直线型金手指的一端连接所述第二电极,另一端靠近所述第一电极。
6.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述金手指结构中靠近第二电极区域的金手指数量多于远离第二电极区域的金手指数量。
7.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于,所述金手指结构中靠近第二电极区域的金手指为弧形、直线型或者折线形。
8.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,还包括:
反光层,位于所述透明衬底的第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对。
9.根据权利要求8所述的发光二极管,其特征在于,所述反光层为分布式布拉格反射镜。
10.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,还包括:
第一台阶,位于所述发光二极管的两端部,位于靠近所述第一电极一端的第一台阶依次贯穿第一电流扩展层、第二外延层、有源层到达第一外延层表面,位于靠近第二电极一端的第一台阶依次贯穿第一电流扩展层、第二电流扩展层、第二外延层、有源层到达第一外延层表面。
11.根据权利要求10所述的发光二极管,其特征在于,所述第一电极位于所述第一台阶中的第一外延层表面。
12.根据权利要求10所述的发光二极管,其特征在于,还包括:
钝化层,位于所述第一台阶的侧壁、暴露的第一外延层的表面、以及暴露的第一电流扩展层表面。
13.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一电流扩展层和第二电流扩展层包括氧化铟锡层。
14.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一外延层和所述第二外延层为三五族化合物半导体材料层。
15.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述透明衬底为图案化的蓝宝石。
16.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,还包括:
钝化层,至少覆盖所述金手指结构的表面。
17.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述电流扩展层为一体化结构。
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