[实用新型]发光二极管

说明书

公开了一种发光二极管，包括：透明衬底；依次位于透明衬底第一表面的第一外延层、有源层、第二外延层，第一外延层与第二外延层的掺杂类型不同；电流扩展层位于第二外延层表面，电流扩展层为台阶状；第一电极，与第一外延层部分接触；第二电极，位于电流扩展层表面，靠近第二电极的电流扩展层的厚度大于靠近第一电极的电流扩展层的厚度。本申请在第二电极与第二外延层之间设置了加厚的电流扩展层，提升了芯片表面的电流分布均匀性，从而避免芯片局部电流集中导致的芯片局部过热、性能降低等问题。

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)作为一种发光元件常用于显示装置中。顺应目前对显示终端轻薄化的追求，用于背光模组中的发光二极管因受限于灯珠支架的尺寸，长宽比越来越大。

为了获得高亮度，在发光二极管的电极中设置有单金手指。上述发光二极管很难做到电流均匀扩展，从而会导致发光二极管芯片的局部电流密度过高，使得发光二极管的光效、抗静电能力、寿命等性能受到影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极管，提升了芯片表面的电流分布均匀性，从而避免芯片局部电流集中导致的芯片局部过热、性能降低等问题。

根据本实用新型提供的一种发光二极管，包括：透明衬底；依次位于所述透明衬底第一表面的第一外延层、有源层、第二外延层，所述第一外延层与所述第二外延层的掺杂类型不同；电流扩展层，位于所述第二外延层表面，所述电流扩展层为台阶状；第一电极，与所述第一外延层部分接触；第二电极，位于所述电流扩展层表面，靠近所述第二电极的电流扩展层的厚度大于靠近所述第一电极的电流扩展层的厚度。

可选地，所述电流扩展层包括：第二电流扩展层，位于所述第二外延层表面且覆盖部分所述第二外延层；以及第一电流扩展层，位于所述第二外延层和所述第二电流扩展层表面，所述第一电流扩展层形成台阶状，所述第二电极与所述第二外延层之间包含所述第一电流扩展层和所述第二电流扩展层。

可选地，所述第二外延层覆盖所述有源层，所述有源层覆盖至少部分所述第一外延层。

可选地，还包括：金手指结构，位于所述电流扩展层表面且与所述第二电极电连接，所述金手指结构包括至少一条金手指。

可选地，所述至少一条金手指为直线型金手指，所述直线型金手指的一端连接所述第二电极，另一端靠近所述第一电极。

可选地，所述金手指结构中靠近第二电极区域的金手指数量多于远离第二电极区域的金手指数量。

可选地，所述金手指结构中靠近第二电极区域的金手指为弧形、直线型或者折线形。

可选地，还包括：反光层，位于所述透明衬底的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对。

可选地，所述反光层为分布式布拉格反射镜。

可选地，还包括：第一台阶，位于所述发光二极管的两端部，位于靠近所述第一电极一端的第一台阶依次贯穿第一电流扩展层、第二外延层、有源层到达第一外延层表面，位于靠近第二电极一端的第一台阶依次贯穿第一电流扩展层、第二电流扩展层、第二外延层、有源层到达第一外延层表面。

可选地，所述第一电极位于所述第一台阶中的第一外延层表面。

可选地，还包括：钝化层，位于所述第一台阶的侧壁、暴露的第一电流扩展层表面。

可选地，所述第一电流扩展层和第二电流扩展层包括氧化铟锡层。

可选地，所述第一外延层和所述第二外延层为三五族化合物半导体材料层。

可选地，所述透明衬底为图案化的蓝宝石。