[实用新型]一种晶圆扫描喷嘴清洗槽

说明书

本实用新型公开了一种晶圆扫描喷嘴清洗槽，包括：槽体、设置在槽体外壁上的进液接头、设置在槽体底部的排液接头，还包括：隔膜泵，通过下排管路与所述排液接头连接。本实用新型一种晶圆扫描喷嘴清洗槽，在纯水槽溢流和下排增加一个隔膜泵保证管路处于一个弱真空的状态，从而有利于UPW的快速溢流和直排作业。

技术领域

本实用新型公开了一种晶圆扫描喷嘴清洗槽，属于晶圆制造领域。

背景技术

摩尔定律强势推动下以FinFET（鳍式场效应晶体管）为主的14纳米代高性能、低功耗器件早已进入我们的生活，但是很少人知道要制造如此强大的器件需要引入大量新的化学元素，更少人知道因为引入“新”的元素对芯片加工厂污染监控难度达到空前的难度。因为每个元素对硅基器件的影响各不相同，有些是必须的加入去实现功能，有些是无意中带入成为降低、杀死器件的污染源，所以所有可能涉及到的元素要严格监控。在元素周期表中，金属元素占大部分，而且其活泼化学、物理性能，大部分情况下成为沾污，在污染监控工作中称之为金属沾污。之前主流的在线金属沾污检测仪器全反射荧光光谱分析仪（TXRF）对钠、镁、铝等元素的检测底线是近1E11原子/厘米2，对铁、铜等检测底线是1E9原子/厘米2，以上这些重点监控元素因加入的工序不一样，有时候成为降低、杀死器件的主凶，然而TXRF本身已经满足不了元素污染监控需求（≥1E9原子/厘米2）。为了弥补TXRF的高检测底线，VPD（气相分解金属沾污收集系统）引入了在线监测辅助型仪器里面，VPD的作用是用气相的氟化氢蒸汽腐蚀晶圆表面的自然氧化层，使其亲水表面变成疏水。然后用特殊的液体收集液以扫描晶圆的方式把散落在整个晶圆表面的金属沾污收集到一个点上，配合TXRF做测试。因为晶圆表面和那一个收集点有面积上的数量级比例关系，所以几乎所有元素的晶圆级检测底线降了2个数量级，这样大大提升了TXRF机台的测试灵敏度（100倍以上）。VPD沾污收集过程主要有三步：首先，气相氟化氢腐蚀待检测样品表面的自然氧化层，使其亲水表面疏水化；然后，特制的扫描液在待检测晶圆上收集各种分散的金属沾污到一点；最后，干燥含金属沾污的扫描液待做TXRF分析。一般在扫描腔完成扫描以后，机械手带着微水珠的疏水晶圆移动到干燥腔干燥晶圆上的微水珠并形成干燥痕迹待TXRF分析。

扫描晶圆的扫描喷嘴是共享使用的，为了避免扫描喷嘴在扫描不同晶圆时的交叉污染，每次扫描一个晶圆之后扫描喷嘴需用特质的化学液清洗，然后用去离子水冲洗干净。喷嘴清洗完毕后会原位，等待提取扫描液去扫描下一晶圆上的沾污。因为化学液清洗槽会存放清洗液（稀酸类）、扫描液（含氟液）及纯水，槽体材质的要求非常高，一般是采用含氟塑料。

无论化学清洗液还是扫描液都需要定期更换，而且冲洗用的纯水是以快排或者溢流形式排出槽体。考虑到废液排放及使用成本，上述几个槽体体积最好严格控制在一定范围之内。但是，含氟塑料是疏水性质，如果遇到表面张力稍微大一点的液体，如基于水的溶液，在细小的槽体内无法完成正常溢流或者快排。此外，一般含氟塑料都是非透明的，对槽体的液位进行检测较为困难。

实用新型内容

针对上述技术问题，本实用新型提出一种晶圆扫描喷嘴清洗槽，该晶圆扫描喷嘴清洗槽具有较高的排液效率。

为了实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种晶圆扫描喷嘴清洗槽，包括：槽体、设置在槽体外壁上的进液接头、设置在槽体底部的排液接头，还包括：

隔膜泵，通过下排管路与所述排液接头连接。

所述槽体的材质为全氟烷氧基树脂、聚四氟乙烯、乙烯四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚偏氟乙稀中的一种或其任意组合。

所述下排管路为全氟烷氧基树脂管路。

所述排液接头包括接头本体、以及设置在接头本体上的排液阀。

所述槽体外壁上设有溢流接头。

所述槽体内部包括多个槽体单元，每个槽体单元上均设有至少一个进液接头、至少一个排液接头以及至少一个溢流接头。