[实用新型]一种PERC太阳能电池减反射钝化膜

说明书

本实用新型公开了一种PERC太阳能电池减反射钝化膜，包括第一层SiNx薄膜和位于其上的第二层SiNx薄膜，在所述第一层SiNx薄膜和第二层SiNx薄膜之间设有至少一层ZnO薄膜。本实用新型在常规两层SiNx薄膜中增设ZnO薄膜，可以减少光的干涉相消，提高电池的吸光性能，而且，ZnO薄膜可以减少SiNx薄膜的厚度和释放氢的浓度，同时作为中间夹层阻止外层SiNx的H扩散到电池内部，有效降低电池的LeTID；富含H的SiNx薄膜能钝化Si表面的悬空键，减少载流子复合中心，提高光电利用效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制备技术，尤其涉及一种PERC太阳能电池减反射钝化膜。

背景技术

目前，SiNx薄膜被广泛用于PERC晶体硅太阳能电池的钝化。PECVD法在沉积SiNx薄膜时，会在薄膜中形成大量固定正电荷和游离的氢原子。大量的固定正电荷在电池表面处形成一个内建电场，使表面处于反型状态，降低载流子在表面相遇和复合的几率，从而降低表面复合速度。而大量的游离氢原子则可以扩散到Si-SiNx界面处，与界面处的硅悬挂键结合，降低表面的界面态密度以达到降低表面复合速率的效果，对电池表面进行钝化。SiNx薄膜除了具有良好的钝化效果外，采用PECVD法制备的SiNx薄膜还具有良好的减反射功能，随着反应气体硅烷和氨气气体流量比例的不同，SiNx薄膜的折射率可在1.8～3.3的范围内调整，实际生产中可通过调整气体流量，形成匹配的膜厚和折射率，将反射率降至最低，增加太阳能电池对光的吸收利用。

PERC电池通过在电池片正面沉积两层折射率不同的SiNx薄膜来提高其减反射性能。对于组件，太阳光依次通过空气、SiNx薄膜和硅片，折射率分别为1.14、2.14和3.87。为了提高晶体硅太阳能电池的吸光性能，可沉积多层折射率依次增大的钝化膜，达到其最佳的增透作用。富含H的SiNx薄膜除了有良好的钝化效果外，高温烧结容易使H原子扩散到硅片内部，造成严重的LeTID衰减。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种结构简单、成本低、提高电池的吸光性能、提高光电利用效率、有效降低电池LeTID的PERC太阳能电池减反射钝化膜。

本实用新型的目的通过以下的技术措施来实现：一种PERC太阳能电池减反射钝化膜，包括第一层SiNx薄膜和位于其上的第二层SiNx薄膜，其特征在于，在所述第一层SiNx薄膜和第二层SiNx薄膜之间设有至少一层ZnO薄膜。

本实用新型在常规两层SiNx薄膜中增设ZnO薄膜，可以减少光的干涉相消，提高电池的吸光性能，而且，ZnO薄膜可以减少SiNx薄膜的厚度和释放氢的浓度，同时作为中间夹层阻止外层SiNx的H扩散到电池内部，有效降低电池的LeTID；富含H的SiNx薄膜能钝化Si表面的悬空键，减少载流子复合中心，提高光电利用效率。

本实用新型所述ZnO薄膜的总厚度为8～13nm，折射率为1.9～2.0。

本实用新型所述第一层SiNx薄膜的厚度为15～20nm，折射率为2.2～2.3。

本实用新型所述第二层SiNx薄膜的厚度为45～50nm，折射率为1.7～1.8。

与现有技术相比，本实用新型具有如下显著的效果：

⑴本实用新型在常规两层SiNx薄膜中增设ZnO薄膜，可以减少光的干涉相消，提高电池的吸光性能。

⑵本实用新型的ZnO薄膜可以减少SiNx薄膜的厚度和释放氢的浓度，同时作为中间夹层阻止外层SiNx的H扩散到电池内部，有效降低电池的LeTID。

⑶本实用新型富含H的SiNx薄膜能钝化Si表面的悬空键，减少载流子复合中心，提高光电利用效率。

⑷本实用新型结构简单、制造成本低、容易实现，适于广泛推广和适用。

附图说明