[实用新型]用于化学气相沉积处理的加热装置

说明书

本实用新型提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；载具，设于腔室中；加热组件，适于生发热量，以使得腔室中的温度升高；传热组件，设于腔室中，适于对来自加热组件的热量进行传导。本实用新型能够提高加热装置在加热时的温度均匀程度，以提高化学气相沉积处理的效果。

技术领域

本实用新型涉及硅片制造的技术领域，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积处理的加热装置。

背景技术

硅片在太阳能电池生产、半导体设备制造等诸多领域均具有广泛的应用前景。

采用等离子增强化学气相沉积(英文名称：Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，英文简称：PECVD)是对硅片进行表面处理，是提高硅片性能的重要手段。

在实施化学气相沉积处理时，需要采用加热装置对硅片进行加热。相关技术中的其中一项不足是，加热装置对硅片进行加热时的温度均匀性不够理想，并由此使得硅片的生产质量难以得到保证。

实用新型内容

本实用新型旨在解决上述技术问题的至少之一。

为此，本实用新型的目的在于提供一种用于化学气相沉积处理的加热装置。

为实现本实用新型的目的，本实用新型的实施例提供了一种用于化学气相沉积处理的加热装置，包括：壳体，包围限定出腔室；载具，设于腔室中，适于承载被加工件；加热组件，适于生发热量，以使得被加工件的温度升高；传热组件，设于腔室中，适于对来自加热组件的热量进行传导。

传热组件的设置不仅能够提高腔室之中的保温效果，提高加热装置的加热效率，亦能够促进腔室之中温度的均匀分布，并使得腔室之中各个位置的硅片的温度和同一硅片之上各个区域的温度都趋于相同。由此，本实施例能够以供可均匀升温的加热装置，以达到保证产能并提高产品质量的目的。

另外，本实用新型上述实施例提供的技术方案还可以具有如下附加技术特征：

上述技术方案中，传热组件包括：一个或多个的板状金属传热组件；其中，板状金属传热组件与壳体连接。

具有板状结构的金属材质传热组件导热效率高，成本低廉，易于加工并且便于和壳体的内壁进行安装装配。

上述任一技术方案中，加热组件包括：第一加热组件，设置于载具的任一侧；第二加热组件，设置于载具与任一侧相对的另一侧。

第一加热组件和第二加热组件相互配合，使得本实施例的加热装置的升温效率和温度分布均匀性均能够得到有力地保证。

上述任一技术方案中，传热组件包括：第一传热组件，设于壳体的侧部上；第二传热组件，设于壳体的底部上。

本实施例的第一传热组件和第二传热组件与第一加热组件和第二加热组件共同配合，以达到在多个方向对载具以及载具之上的硅片进行加热、传热和保温的目的。

上述任一技术方案中，第一加热组件包括：一个或多个的板状金属加热组件；其中，板状金属加热组件设于腔室中，并与壳体连接。

具有板状结构的金属材质加热组件的升温速度快，成本低廉，体积小巧，易于加工并且便于和壳体的内壁进行安装装配。

上述任一技术方案中，第二加热组件包括：一个或多个的管状加热组件；其中，管状加热组件的至少一部分伸入腔室，并且管状加热组件与壳体可拆卸连接。

一方面，本实施例能够保证腔室的密闭情况，以使得腔室能够处于真空状态。另一方面，本实施将第二加热组件设置为相对于壳体的可拆卸结构，由此，本实施例可便于第二加热组件的维修和更换。