[实用新型]非易失性存储器设备和电压生成器电路

权利要求书

1.一种非易失性存储器设备，其特征在于，包括：

存储器阵列，具有多个存储器单元；

读取电路；

列解码器级，耦合在所述存储器阵列和所述读取电路之间，所述列解码器级包括多个可选择位线和多个选择开关，每个开关与相应的位线相关联，其中所述可选择位线和选择开关被配置为：当所述可选择位线和选择开关被选择时，将所述存储器单元耦合到所述读取电路，从而定义被选择的读取路径；以及

读取供电电压生成器，包括电压调节电路和伪列解码器，所述伪列解码器耦合到所述电压调节电路的输出，并且所述伪列解码器具有与所述被选择的读取路径相关联的电气特性，其中所述电压调节电路被配置为：接收与被选择的可选择位线上的期望电压值相关联的第一电气量，以及与用于所述被选择的可选择位线的期望电流值相关联的第二电气量，并且生成用于所述列解码器级的经调节的读取供电电压，其中所述经调节的读取供电电压能够用于控制所述列解码器级，以便当所述可选择位线被选择时，在所述期望电流值下向被选择的所述可选择位线提供所述期望电压值。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述电压调节电路包括运算放大器和反馈电路；

所述运算放大器具有第一输入、第二输入和输出；

所述运算放大器的第一输入被配置为接收基准电气量；

所述运算放大器的第二输入通过所述反馈电路耦合到所述运算放大器的输出，并且所述运算放大器的第二输入被配置为接收所述第二电气量；并且

所述运算放大器的输出耦合到所述伪列解码器以及所述读取供电电压生成器的输出。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备，其特征在于，还包括：耦合在所述伪列解码器和基准电位线之间的电压设定电阻器，所述电压设定电阻器被配置为设定所述第一电气量。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备，其特征在于，还包括：耦合在所述运算放大器的第二输入和基准电位线之间的电流设定电阻器，所述电流设定电阻器被配置为生成所述第二电气量。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器设备，其特征在于，还包括：耦合在所述伪列解码器和所述基准电位线之间的电压设定电阻器，所述电压设定电阻器被配置为设定所述第一电气量。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述电压设定电阻器或所述电流设定电阻器具有可调整的电阻。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述电压设定电阻器或所述电流设定电阻器包括能够耦合在一起的多个可选择电阻性元件，每个可选择电阻性元件具有相应的连接开关。

8.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述伪列解码器包括：

第一端子，耦合到所述反馈电路；

第二端子，被配置为接收所述第一电气量；以及

控制端子，耦合到所述运算放大器的输出。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述列解码器级具有一定数目的解码水平，并且所述伪列解码器包括串联连接的一定数目的伪解码晶体管，所述伪解码晶体管的数目等于所述列解码器级的解码水平的数目。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述伪解码晶体管中的至少一个伪解码晶体管具有耦合到所述运算放大器的输出的控制端子。

11.根据权利要求2所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述反馈电路包括电流镜电路。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备，其特征在于，还包括耦合到所述电压调节电路的输出的电流缓冲器。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器设备，其特征在于，所述电流缓冲器包括电压跟随器电路。