[实用新型]一种金刚石基欧姆接触结构有效
申请号: | 202021193069.8 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN212461601U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 张鹏飞;陈伟东;张少鹏;王宏兴 | 申请(专利权)人: | 内蒙古工业大学 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285;H01L29/45 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘徐红 |
地址: | 010051 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 欧姆 接触 结构 | ||
1.一种金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:包括金刚石衬底,所述金刚石衬底的表面设有欧姆接触电极,所述欧姆接触电极包括两层金属电极层,接触金刚石衬底的第一电极层为Ni金属层,第一电极层的上层为第二电极层,第二电极层为化学惰性金属层。
2.一种金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:包括金刚石衬底,所述金刚石衬底的表面设有单晶金刚石外延薄膜,所述的单晶金刚石外延薄膜上设有欧姆接触电极,所述欧姆接触电极包括两层金属电极层,接触单晶金刚石外延薄膜的第一电极层为Ni金属层,第一电极层的上面为第二电极层,第二电极层为化学惰性金属层。
3.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的第一电极层的厚度为2-200nm。
4.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的第二电极层的厚度为20-400nm。
5.根据权利要求2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的单晶金刚石外延薄膜的厚度为10nm到10微米。
6.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的第二电极层材质为Au、W、Ir、Pd或Pt。
7.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的金刚石衬底为单晶金刚石薄膜、多晶金刚石薄膜、高温高压金刚石衬底、表面氢化处理过的金刚石、P型掺杂金刚石或N型掺杂金刚石。
8.根据权利要求1或2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的第一电极层和第二电极层的沉积方式为电子束蒸发、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积金属镀膜方法。
9.根据权利要求2所述的金刚石基欧姆接触结构,其特征在于:所述的单晶金刚石外延薄膜采用微波等离子体化学气相沉积方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造