[实用新型]一种用于PMOS管的衬底电位选择电路

权利要求书

1.一种用于PMOS管的衬底电位选择电路，其特征在于，包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的衬底和所述第一PMOS管的漏极连接第一电源；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第一NMOS管的衬底与所述第一NMOS管的源极连接接地，所述第一NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接共同连接第二电源；

反相器，包括输入端和输出端；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第二PMOS管的衬底与所述第二PMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极共同连接所述第一电源；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的源极和所述反相器的输入端连接，所述第三PMOS管衬底与所述第三PMOS管漏极、所述第二PMOS管的衬底和所述第二PMOS管的源极共同连接形成选择输出端，所述第三PMOS管的源极连接所述第二电源。

2.根据权利要求1所述的用于PMOS管的衬底电位选择电路，其特征在于，所述反相器还包括：

第四PMOS管，所述第四PMOS管的衬底与所述第四PMOS管的漏极共同连接第二电源；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极形成所述反相器的输入端，所述第二NMOS管的衬底与所述第二NMOS管的源极连接接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极共同形成所述反相器的输出端。