[实用新型]一种封装结构有效
申请号: | 202021203647.1 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN212033014U | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 曲克峰 | 申请(专利权)人: | 杭州友旺电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L25/18;H01L25/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力 |
地址: | 310012 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:载片、集成电路芯片、多个引脚、第一功率器件和第二功率器件;其中,
所述第一功率器件和所述第二功率器件均设置于所述载片表面,所述第一功率器件的第一端和所述第二功率器件的第一端均朝向所述载片设置,且与所述载片电连接,所述第一功率器件和第二功率器件包括相同或不同类型的功率器件;
所述多个引脚包括第一引脚、第三引脚、第六引脚和第七引脚,所述第七引脚与所述载片电连接;
所述第三引脚包括芯片设置区,所述集成电路芯片设置于所述芯片设置区,且所述集成电路芯片的第一端与所述第三引脚电连接,所述集成电路芯片的第二端与所述第一功率器件电连接,所述集成电路芯片的第三端与所述第二功率器件电连接;
所述第一功率器件的第二端与所述第一引脚电连接,所述第二功率器件的第二端与所述第六引脚电连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述功率器件包括MOS管、三极管和可控硅中的至少一种;
所述集成电路芯片包括栅极驱动器芯片或源极驱动器芯片中的一种。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述功率器件的耐压值的取值范围为40V~1500V;
所述功率器件的电流能力的取值范围为2A~100A。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述集成电路芯片包括内置的温度保护电路。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述多个引脚还包括第二引脚、第四引脚和第五引脚;其中,
所述第二引脚、第四引脚和第五引脚中的至少一个与所述集成电路芯片除第一端、第二端和第三端外的其他连接端电连接。
6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,不与所述集成电路芯片电连接的第二引脚、第四引脚和第五引脚作为冗余引脚。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述集成电路芯片的第二端通过一根第一类焊线与所述第一功率器件电连接,所述集成电路芯片的第三端通过一根所述第一类焊线与所述第二功率器件电连接;
所述第一功率器件的第二端通过第二类焊线与所述第一引脚电连接;
所述第二功率器件的第二端通过所述第二类焊线与所述第六引脚电连接。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述第一类焊线的直径小于所述第二类焊线的直径。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述第一类焊线的直径的取值范围为0.8mil~2.0mil。
10.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述第二类焊线的直径的取值范围为3mil~20mil。
11.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述第二类焊线由多根第一类焊线并联构成。
12.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:散热片;
所述散热片与所述载片的一端连接。
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