[实用新型]垂直功率MOS半导体器件有效
| 申请号： | 202021210089.1 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN212342637U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 mos 半导体器件 | ||
1.一种垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：包括：位于硅片（1）下表面的重掺杂N型漏极区（2）和位于硅片（1）上表面的中掺杂P型基极区（3），所述重掺杂N型漏极区（2）和中掺杂P型基极区（3）之间具有一轻掺杂N型漂移区（4），一位于中掺杂P型基极区（3）中沟槽（5）延伸至轻掺杂N型漂移区（4）下部，所述中掺杂P型基极区（3）上部内且位于沟槽（5）的周边具有第一重掺杂N型源极区（6），一介质层（12）覆盖于沟槽（5）上并延伸至第一重掺杂N型源极区（6）内侧边缘的上方，一上金属层（7）位于中掺杂P型基极区（3）和第一重掺杂N型源极区（6）外侧边缘的上方，一下金属层（13）位于重掺杂N型漏极区（2）与轻掺杂N型漂移区（4）相背的表面；
位于N型漂移区（4）内且包覆于沟槽（5）下部的外侧壁上具有一P型掺杂扩散区（14），此P型掺杂扩散区（14）上端面与P型基极区（3）的下表面接触；
所述沟槽（5）内下部具有第二N型源极部（8），此沟槽（5）内上部具有栅极部（9）， 所述第二N型源极部（8）和栅极部（9）与沟槽（5）之间填充有第一氧化硅层（10），所述第二N型源极部（8）和栅极部（9）之间通过第二氧化硅层（11）隔离。
2.根据权利要求1所述的垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：所述中掺杂P型基极区（3）深度与第一重掺杂N型源极区（6）深度的深度比为10：2~4。
3.根据权利要求1所述的垂直功率MOS半导体器件，其特征在于：所述栅极部（9）与沟槽（5）之间的第一氧化硅层（10）厚度小于第二N型源极部（8）与沟槽（5）之间的第一氧化硅层（10）厚度。
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