[实用新型]一种单晶硅铸锭炉有效
申请号: | 202021224934.0 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN213327933U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 陈红荣;孙庚昕;胡动力;张华利 | 申请(专利权)人: | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B11/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 221000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 铸锭 | ||
本实用新型公开了一种单晶硅铸锭炉,包括由外而内依次套接设置的炉体、隔热笼和坩埚,在所述隔热笼的内部还设有加热器所述坩埚四周侧壁的外围设有一圈石墨护板所述坩埚与所述石墨护板之间相隔3‑20mm,在该间隙空间中设置一层保温层。本实用新型通过在坩埚和石墨护板之间采用耐1600℃以上的纤维保温材料制作的保温层,能够在单晶硅制作的熔化阶段阻挡加热器热量的直接辐射,起到保护籽晶的效果,并且在长晶阶段,起到对坩埚的保温效果,减少侧面多晶插入,提高单晶面积。
技术领域
本实用新型属于硅片生产设备领域,具体涉及一种单晶硅铸锭炉。
背景技术
晶体硅是生产太阳能电池最主要的材料,目前主要使用多晶硅材料,相比之下采用单晶硅制作太阳能电池的光电转换效率明显的优于多晶硅材料。但是在铸造单晶硅的过程中,依旧沿用生产多晶硅的铸锭炉设备,该铸锭炉并不能为位于炉中的坩埚提供稳定的温度环境,容易导致多晶斜插往里生长,挤压单晶的结构,影响单晶的面积。
实用新型内容
针对现有技术中的铸锭炉在单晶硅铸造的长晶生长阶段因坩埚壁温的不均匀性所导致的单晶结构的不完美的问题,本实用新型提出一种适用于提高单晶质量的铸锭炉。
实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
一种单晶硅铸锭炉,包括由外而内依次套接设置的炉体、隔热笼和坩埚,在所述隔热笼的内部还设有加热器,相邻的两块石墨护板之间通过设置在左右两侧位于交线位置的螺杆连接件合围成石墨护板矩形框,所述坩埚与所述石墨护板之间相隔3-20mm,在该间隙空间中设置一层保温层,所形成的石墨护板矩形框通过设置在上下两边的螺杆连接件紧固在所述坩埚的外围。
优选的,所述保温层的厚度为10mm。
作为本实用新型的进一步改进,所述石墨护板的高度大于所述坩埚的高度。
作为本实用新型的进一步改进,所述保温层的高度小于所述坩埚的高度,大于所述坩埚内部所述制作的单晶硅的高度。
作为本实用新型的进一步改进,所述保温层的材料选用耐火度超过1600℃的纤维材料,包括石墨软毡、石墨布、氧化铝石棉中的任一种或几种。
作为本实用新型的进一步改进,所述加热器贴附在所述石墨护板的外侧,包括顶端加热器和加热器侧面加热器,分别对应于所述石墨护板的顶面和四周侧壁均匀布置。
本实用新型的有益效果:本实用新型通过在坩埚和石墨护板之间采用耐1600℃以上的纤维保温材料制作的保温层,能够在单晶硅制作的熔化阶段阻挡加热器热量的直接辐射,起到保护籽晶的效果,并且在长晶阶段,起到对坩埚的保温效果,减少侧面多晶插入,提高单晶面积。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为图1中A处的放大图;
图3为所形成的石墨护板矩形框的结构示意图;
其中:1-炉体, 2-隔热笼,3-坩埚,4-保温层,5- 石墨护板,6-加热器,601-顶端加热器,602-侧面加热器,7-螺杆连接件。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
下面结合附图对本实用新型的应用原理作详细的描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏协鑫硅材料科技发展有限公司,未经江苏协鑫硅材料科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021224934.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。