[实用新型]集成驱动器以及电压转换器有效
申请号: | 202021229940.5 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN213521668U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 姚凯卫;张望;赵晨 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 驱动器 以及 电压 转换器 | ||
1.一种集成驱动器,应用于包括开关电容变换电路的电压转换器,其特征在于,包括:
第一晶片,包括第一类型功率晶体管;
第二晶片,包括至少一个第二类型功率晶体管,所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能;
所述第一晶片和所述第二晶片串联耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端,使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。
2.根据权利要求1所述的集成驱动器,其特征在于,所述第一类型功率晶体管被设置为GaN晶体管。
3.根据权利要求1所述的集成驱动器,其特征在于,所述第一类型功率晶体管的耐压性能为所述第一类型功率晶体管的漏源击穿电压,所述第二类型功率晶体管的耐压性能为所述第二类型功率晶体管的漏源击穿电压。
4.根据权利要求1所述的集成驱动器,其特征在于,所述第一类型功率晶体管的导通电阻小于所述第二类型功率晶体管的导通电阻。
5.根据权利要求1所述的集成驱动器,其特征在于,所述第一类型功率晶体管的寄生电容小于所述第二类型功率晶体管的寄生电容。
6.根据权利要求1所述的集成驱动器,其特征在于,所述第二类型功率晶体管被设置为Si晶体管。
7.根据权利要求1所述的集成驱动器,其特征在于,所述电压转换器包括:
所述第一类型功率晶体管,其第一端与所述电压转换器的输入端相连;以及
开关和电容网络,所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间。
8.根据权利要求7所述的集成驱动器,其特征在于,所述第一类型功率晶体管承受的最大电压为所述电压转换器的输入电压。
9.根据权利要求7所述的集成驱动器,其特征在于,当所述电压转换器启动之前,所述第一类型功率晶体管承受的电压大于所述第二类型功率晶体管承受的电压。
10.根据权利要求7所述的集成驱动器,其特征在于,在所述电压转换器启动之前,所述第一类型功率晶体管的第二端经所述开关和电容网络至所述参考地的路径为零电位。
11.根据权利要求7所述的集成驱动器,其特征在于,所述第一类型功率晶体管在所述电压转换器正常工作时所承受的电压小于其在所述电压转换器的启动之前所承受的电压。
12.根据权利要求7所述的集成驱动器,其特征在于,所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。
13.根据权利要求12所述的集成驱动器,其特征在于,所述开关和电容网络还包括至少一组并联设置的串联在所述电压转换器的输出端和参考地之间的两个第二类型功率晶体管。
14.根据权利要求12所述的集成驱动器,其特征在于,所述开关和电容网络还包括:
N组串联连接在开关节点和地电位之间的飞跨电容和第二类型功率晶体管,所述开关节点为相邻的两个功率晶体管之间的公共连接点,N大于等于1;
N+1个电感,其中,一电感连接在最后一个开关节点和输出正端之间,剩余电感连接在串联连接的飞跨电容和第二类型功率晶体管的公共连接点和输出正端之间,所述最后一个开关节点为与所述参考地相邻串联连接的两个第二类型功率晶体管的公共连接点。
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