[实用新型]集成驱动器以及电压转换器

说明书

本实用新型公开了一种集成驱动器以及一种电压转换器，所述集成驱动器应用于包括开关电容变换电路的所述电压转换器，当所述电压转换器刚启动时，所述第一类型的功率晶体管承受的电压为输入电压，通过将所述第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述第一类型的功率晶体管的安全性更为可靠。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成驱动器以及一种电压转换器。

背景技术

现有的开关电容类的DC/DC变换器，其在启动之前或刚启动时，连接在所述变换器的输入端和参考地之间的第一个晶体管所承受的电压为输入电压，而在正常工作时，所述第一个晶体管所承受的电压小于所述的输入电压。现有的技术中将所述第一个晶体管与其它晶体管设置为同一类型晶体管，会对第一个晶体管的安全性造成影响，且不利于系统的高效性。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种集成驱动器以及一种电压转换器，通过将第一类型的功率晶体管设置为GaN晶体管，以使得所述第一类型的功率晶体管的安全性更为可靠。

根据本实用新型的第一方面，提出一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：第一晶片，包括第一类型功率晶体管；第二晶片，包括至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；所述第一晶片和所述第二晶片串联耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。

优选地，所述第一类型功率晶体管被设置为GaN晶体管。

本实用新型的第二方面，提出一种集成驱动器，应用于包括开关电容变换电路的电压转换器，包括：第一晶片，包括第一类型功率晶体管和至少一个第二类型功率晶体管，所述第一类型功率晶体管的耐压性能高于所述第二类型功率晶体管的耐压性能；所述第一晶片耦接在所述电压转换器的高电位端和低电位端，使得所述第一类型功率晶体管接收高电压信号。

优选地，所述第一类型功率晶体管和至少一个所述第二类型功率晶体管共用衬底。

优选地，所述第一类型功率晶体管为Si基GaN功率晶体管。

优选地，所述第一类型功率晶体管的耐压性能为所述第一类型功率晶体管的漏源击穿电压，所述第二类型功率晶体管的耐压性能为所述第二类型功率晶体管的漏源击穿电压。

优选地，所述第一类型功率晶体管的导通电阻小于所述第二类型功率晶体管的导通电阻。

优选地，所述第一类型功率晶体管的寄生电容小于所述第二类型功率晶体管的寄生电容。

优选地，所述第二类型功率晶体管被设置为Si晶体管。

优选地，所述电压转换器包括:所述第一类型功率晶体管，其第一端与所述电压转换器的输入端相连；以及开关和电容网络，所述开关和电容网络连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和参考地之间。

优选地，所述第一类型功率晶体管承受的最大电压为所述电压转换器的输入电压。

优选地，当所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管承受的电压大于所述第二类型功率晶体管承受的电压。

优选地，在所述电压转换器启动之前，所述第一类型功率晶体管的第二端经所述开关和电容网络至所述参考地的路径为零电位。

优选地，所述第一类型功率晶体管在所述电压转换器正常工作时所承受的电压小于其在所述电压转换器的启动之前所承受的电压。

优选地，所述开关和电容网络包括串联连接在所述第一类型功率晶体管的第二端和所述参考地之间的多个所述第二类型功率晶体管。

优选地，所述开关和电容网络还包括至少一组并联设置的串联在所述电压转换器的输出端和参考地之间的两个第二类型功率晶体管。