[实用新型]一种DLC膜层的制备设备

权利要求书

1.一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，其特征在于，还包括位于所述设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；

所述等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的X型绝缘主体框架，所述X型绝缘主体框架的四个延伸壁为空心板，所述交叉区域与所述空心板的连接处设置有第一通孔，且所述交叉区域与输气管路相连；位于每个所述空心板中的两个导电板，且所述电源接入端头与所述导电板电连接；与所述空心板的上表面连接的固定支架。

2.如权利要求1所述的DLC膜层的制备设备，其特征在于，每个所述空心板的侧面的中心处均设置有第二通孔，所述电源接入端头通过所述第二通孔与所述导电板电连接。

3.如权利要求1所述的DLC膜层的制备设备，其特征在于，所述导电板为石墨板。

4.如权利要求1所述的DLC膜层的制备设备，其特征在于，所述X型绝缘主体框架为下述任一种框架：

氧化铝框架、氧化锆框架、氮化硅框架。

5.如权利要求1至4任一项所述的DLC膜层的制备设备，其特征在于，还包括：

线性等离子清洗源，用于对待镀膜的基片表面进行清洁。

6.如权利要求5所述的DLC膜层的制备设备，其特征在于，所述X型绝缘主体框架的所述导电层为铜导电层。

7.如权利要求6所述的DLC膜层的制备设备，其特征在于，所述抽气组件包括真空泵、连接所述真空泵和所述设备主体的抽气管路。