[实用新型]一种DLC膜层的制备设备

说明书

本申请公开了一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，位于设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的X型绝缘主体框架，X型绝缘主体框架的四个延伸壁为空心板，交叉区域与空心板的连接处设置有第一通孔，且交叉区域与输气管路相连；位于每个空心板中的两个导电板，且电源接入端头与导电板电连接；与空心板的上表面连接的固定支架。该设备包括磁控溅射阴极和等离子体增强化学气相沉积部件，结合磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积两种工艺制备DLC膜层，实现高速高质量的膜层制备。

技术领域

本申请涉及DLC膜层镀膜设备领域，特别是涉及一种DLC膜层的制备设备。

背景技术

DLC(Diamond-like Carbon，类金刚石)膜层，是以SP³杂化键(金刚石结构)和SP²杂化键(石墨结构)相结合的亚稳态非晶碳膜，具有高硬度、低摩擦系数、高弹性模量、良好的光学特性等特点。

目前，制备DLC膜层的设备主要为单一功能的单体式磁控溅射设备或单一的采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的设备，由于DLC膜层具有内应力高、膜基结合力差的缺点，需要先在基片制作一层金属或金属混合物的过渡层，然后再沉积DLC膜层，但是采用磁控溅射的方式沉积DLC膜层时，速度非常慢，成本高；采用PECVD技术的设备在金属或金属混合物过渡层的沉积上难度高，存在金属前驱液配置困难，污染大等缺点。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种DLC膜层的制备设备，以实现快速且高质量的DLC膜层的制备，降低成本，减小污染。

为解决上述技术问题，本申请提供一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，位于所述设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；

所述等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的X型绝缘主体框架，所述X型绝缘主体框架的四个延伸壁为空心板，所述交叉区域与所述空心板的连接处设置有第一通孔，且所述交叉区域与输气管路相连；位于每个所述空心板中的两个导电板，且所述电源接入端头与所述导电板电连接；与所述空心板的上表面连接的固定支架。

可选的，每个所述空心板的侧面的中心处均设置有第二通孔，所述电源接入端头通过所述第二通孔与所述导电板电连接。

可选的，所述导电板为石墨板。

可选的，所述X型绝缘主体框架为下述任一种框架：

氧化铝框架、氧化锆框架、氮化硅框架。

可选的，还包括：

线性等离子清洗源，用于对待镀膜的基片表面进行清洁。

可选的，所述导电层为铜导电层。

可选的，所述抽气组件包括真空泵、连接所述真空泵和所述设备主体的抽气管路。

本申请所提供的一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，位于所述设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；所述等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的X型绝缘主体框架，所述X型绝缘主体框架的四个延伸壁为空心板，所述交叉区域与所述空心板的连接处设置有第一通孔，且所述交叉区域与输气管路相连；位于每个所述空心板中的两个导电板，且所述电源接入端头与所述导电板电连接；与所述空心板的上表面连接的固定支架。