[实用新型]一种IGBT过流保护电路及装置有效
申请号: | 202021249475.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN212305282U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 吴文臣;万顺茂;崔石磊;徐进峰;冯新建 | 申请(专利权)人: | 上海金脉电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 200030 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 保护 电路 装置 | ||
1.一种IGBT过流保护电路,其特征在于,所述电路包括采样电阻R1、IGBT模块、PTC负载R2、比较锁存器L和高压源U,其中,
所述IGBT模块的集电极连接PTC负载R2的一端,所述IGBT模块的发射极连接采样电阻R1的一端,所述IGBT模块的门极连接比较锁存器L;
所述PTC负载R2的另一端连接高压源U的正极;
所述采样电阻R1的另一端连接高压源U的负极;
所述采样电阻R1与比较锁存器L连接。
2.根据权利要求1所述的IGBT过流保护电路,其特征在于,所述采样电阻R1与比较锁存器L之间设置有运算放大器OP,所述运算放大器OP与采样电阻R1并联。
3.根据权利要求2所述的IGBT过流保护电路,其特征在于,所述采样电阻R1的一端连接运算放大器OP的同相输入端,所述采样电阻R1的另一端连接运算放大器OP的反相输入端。
4.根据权利要求3所述的IGBT过流保护电路,其特征在于,所述运算放大器OP的输出端连接比较锁存器L。
5.根据权利要求4所述的IGBT过流保护电路,其特征在于,所述电路还包括DRV模块,所述DRV模块与比较锁存器L连接。
6.根据权利要求1所述的IGBT过流保护电路,其特征在于,所述电路还包括MCU模块,所述MCU模块与比较锁存器L连接。
7.一种IGBT过流保护装置,其特征在于,所述装置包括权利要求1-6任一项所述的IGBT过流保护电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海金脉电子科技有限公司,未经上海金脉电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021249475.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防漏铺砂装置
- 下一篇:一种大功率IGBT实用驱动电路及装置