[实用新型]一种IGBT过流保护电路及装置

说明书

本实用新型公开了一种IGBT过流保护电路及装置，所述电路包括采样电阻R1、IGBT模块、PTC负载R2、比较锁存器L和高压源U，其中，所述IGBT模块的集电极连接PTC负载R2的一端，所述IGBT模块的发射极连接采样电阻R1的一端，所述IGBT模块的门极连接比较锁存器L；所述PTC负载R2的另一端连接高压源U的正极；所述采样电阻R1的另一端连接高压源U的负极；所述采样电阻R1与比较锁存器L连接。本实用新型通过采样电阻R1采集IGBT模块在主回路控制电路中由于负载的短路或是IGBT模块c端和e端的短路产生的大电流转换成电压信号与比较锁存器L的基准电压V信号比对(可根据实际应用场景设定)输出控制IGBT模块的驱动信号输出。

技术领域

本实用新型属于电子电器技术领域，特别涉及一种IGBT过流保护电路及装置。

背景技术

IGBT的过流保护是当上、下桥臂直通时，电源电压几乎全加在了开关管两端，此时将产生很大的短路电流，IGBT饱和压降越小，其电流就会越大，从而损坏开关管器件。虽然这种方法能够起到保护IGBT模块的作用，但还是会出现其他器件的损坏，造成损失。

因此，亟需一种电路能够达到IGBT的过流保护目的，又不会造成其他器件的损坏。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种IGBT过流保护电路，所述电路包括采样电阻R1、IGBT模块、PTC负载R2、比较锁存器L和高压源U，其中，

所述IGBT模块的集电极连接PTC负载R2的一端，所述IGBT模块的发射极连接采样电阻R1的一端，所述IGBT模块的门极连接比较锁存器L；

所述PTC负载R2的另一端连接高压源U的正极；

所述采样电阻R1的另一端连接高压源U的负极；

所述采样电阻R1与比较锁存器L连接。

进一步地，所述采样电阻R1与比较锁存器L之间设置有运算放大器OP，所述运算放大器OP与采样电阻R1并联。

进一步地，所述采样电阻R1的一端连接运算放大器OP的同相输入端，所述采样电阻R1的另一端连接运算放大器OP的反相输入端。

进一步地，所述运算放大器OP的输出端连接比较锁存器L。

进一步地，所述电路还包括DRV模块，所述DRV模块与比较锁存器L连接。

进一步地，所述电路还包括MCU模块，所述MCU模块与比较锁存器L连接。

本实用新型还提供了一种IGBT过流保护装置，所述装置包括上述的IGBT过流保护电路。

本实用新型不仅解决了IGBT的过流保护且不会造成其他器件损坏的问题，并且相对于现有技术的电路方案简单可靠有效，通过采样电阻R1采集IGBT模块在主回路控制电路中由于负载的短路或是IGBT模块c端和e端的短路产生的大电流转换成电压信号与比较锁存器L的基准电压V信号比对(可根据实际应用场景设定)输出控制IGBT模块的驱动信号输出。为了防止正常电路启动时负载寄生参数所导致自身产生的干扰信号出现误保护情况，影响电路的实用性，可增加软件策略控制，在电路趋于稳定时放开驱动信号。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。