[实用新型]一种基于陶瓷加热器温度一致性的调整装置有效
申请号: | 202021267595.4 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN212874437U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 韩禹;孙元斌;苗阵 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 陶瓷 加热器 温度 一致性 调整 装置 | ||
本发明提供了一种基于陶瓷加热器温度一致性的调整装置,包括:上盖组件;下盘体组件,设置在所述上盖组件下方,所述下盘体组件与所述上盖组件组合形成加热腔体;加热组件,安装在所述下盘体组件内部,对所述加热腔体内进行加热;温度调节组件,安装在所述下盘体组件内部,对所述加热组件进行温度补偿与调节;以及通风组件,安装在所述上盖组件上,在所述加热腔体内部排入、排出气体以维持所述加热腔体内的气流稳定,通过双重温度补偿的方式对加热组件进行温度补偿,将加热组件的温度调节至均匀一致,同时气流环境稳定,提高了加热效果。
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片热处理技术领域,尤其涉及一种基于陶瓷加热器温度一致性的调整装置。
背景技术
在应用于半导体行业的晶圆加工处理等前段制造工艺的机台设备中,晶圆会通过设备的工艺流程处理,完成增粘、涂胶、烘烤、降温、曝光等一系列工艺,然后进行显影、刻蚀、去胶等一系列的工艺,反复几次,最终将所需要的复杂电路结构转移到基板上,然后在运转到后续流程,完成每一个芯片的加工。
使用清洁轨道机台设备在涂胶过程中,需要使用到一种光敏物质(光刻胶)涂覆到晶圆基板上,此光敏物质中含有大量的有机溶剂等液体,在进行下一步工艺处理是,需要利用加热单元,将上述的有机溶剂等烘烤使其挥发,并通过特殊处理,排出指定位置。在随着整体行业的发展与进步,量产芯片上的特征尺寸已经缩放到小7纳米甚至者5纳米的等级。目前在清洁轨道机台设备上标准配置七分区的陶瓷加热器,并且七个加热分区间相互存在耦合关系,因此作用到晶圆表面的加热效应完全由七个加热分区进行控制,所以七个分区加热能力的陶瓷加热器温度一致性的高精控制,是各设备商研发的方向。
例如现有技术中,专利号为201420197500.4,专利名称为“一种晶圆加热装置”,其公开了“一种晶圆加热装置,所述晶圆加热装置至少包括:加热腔、基座、加热器、至少一个温度传感器、控制器、固定凸台、以及功率计;所述基座设置于所述加热腔底部;所述加热器用于加热晶圆且设置于所述基座表面;所述温度传感器安装在所述加热器中;所述固定凸台用于固定晶圆且设于所述加热器表面;所述控制器通过功率电缆与所述加热器相连接;所述功率计安装在所述功率电缆上。本实用新型提供的晶圆加热装置中,在功率电缆上安装了功率计,通过功率计监测加热腔中晶圆吸收的热功率,若监测到晶圆吸收的热功率下降,则说明晶圆发生了倾斜,发现之后可将晶圆重新放置到正确的位置,降低晶圆加热不均匀的风险,提高晶圆的产率”。
然而在进行陶瓷加热器一致性调节过程中,在利用温度检测设备,如RTD Wafer电阻式温度检测器晶片检测时,常会出现检测出陶瓷加热器表面多点温度不均匀的情况。
因此,有必要提供一种新型的一种基于陶瓷加热器温度一致性的调整装置以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种基于陶瓷加热器温度一致性的调整装置,提高了加热组件加热的均匀性。
为实现上述目的,本发明的所述一种基于陶瓷加热器温度一致性的调整装置,包括:
上盖组件;
下盘体组件,设置在所述上盖组件下方,所述下盘体组件与所述上盖组件组合形成加热腔体;
加热组件,安装在所述下盘体组件内部,对所述加热腔体内进行加热;
温度调节组件,安装在所述下盘体组件内部,对所述加热组件进行温度补偿与调节;以及
通风组件,安装在所述上盖组件上,在所述加热腔体内部排入、排出气体以维持所述加热腔体内的气流稳定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造