[实用新型]DFN5×6双基岛芯片封装结构

权利要求书

1.DFN5×6双基岛芯片封装结构，包括封装框架(1)，其特征在于：所述封装框架(1)的上表面固定设置有基岛A(2)，所述封装框架(1)的下表面固定设置有基岛B(3)，所述基岛A(2)的一侧均对称设置有是四个第二引脚(9)，所述基岛B(3)的一侧均对称设置有五个第一引脚(8)。

2.根据权利要求1所述的DFN5×6双基岛芯片封装结构，其特征在于：所述封装框架(1)一侧的左边固定设置有P1端口(11)，所述P1端口(11)的一侧固定开设有P2端口(12)，所述P2端口(12)的一侧固定开设有P3端口(13)，所述P3端口(13)的一侧固定开设有P4端口(14)，所述P4端口(14)的一侧固定设置有P5端口(15)，所述P1端口(11)和P5端口(15)均呈现为L状，所述P2端口(12)和P4端口(14)位于基岛B(3)的底部。

3.根据权利要求1所述的DFN5×6双基岛芯片封装结构，其特征在于：所述封装框架(1)另一侧的右边固定开设有P6端口(16)，所述P6端口(16)的一侧固定设置有P7端口(17)，所述P7端口(17)的一侧固定开设有P8端口(18)，所述P8端口(18)的一侧固定连接有P9端口(19)。

4.根据权利要求1所述的DFN5×6双基岛芯片封装结构，其特征在于：所述基岛A(2)和基岛B(3)的表面均固定设置有镀银区域(4)，所述基岛A(2)的四边与基岛B(3)的另一表面均固定设置有半刻蚀区域(5)。

5.根据权利要求4所述的DFN5×6双基岛芯片封装结构，其特征在于：所述镀银区域(4)的右边固定设置有MOSFET(6)，所述基岛B(3)的表面固定设置有主控芯片(7)。

6.根据权利要求4所述的DFN5×6双基岛芯片封装结构，其特征在于：所述基岛A(2)和基岛B(3)之间的间距不小于0.25mm，所述基岛A(2)另一表面的非半刻蚀区与P1端口(11)、P2端口(12)、P3端口(13)、P4端口(14)和P5端口(15)的非半刻蚀区之间的最小距离不小于1.8mm，基岛B(3)与P3端口(13)为一整体。