[实用新型]一种硅片取片机构有效
| 申请号： | 202021291084.6 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN212412027U | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘振辉;胡耿涛;林生财;魏纯 | 申请（专利权）人： | 矽电半导体设备（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 机构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片取片机构，其特征在于：所述硅片取片机构包括，第一吸片部，所述第一吸片部能够沿第一方向吸附硅片；连接于第一吸片部的第一线性驱动部，所述第一线性驱动部能够使第一吸片部沿第一方向运动；第二吸片部，能够沿第一方向吸附硅片；所述第一吸片部与所述第二吸片部沿第一方向相向设置。
2.根据权利要求1所述的硅片取片机构，其特征在于：所述第一方向为竖直方向。
3.根据权利要求1所述的硅片取片机构，其特征在于：第一吸片部/第二吸片部连接有第二线性驱动部，所述第二线性驱动部能够带动第一吸片部/第二吸片部沿第二方向运动；所述第二方向与第一方向夹角为θ，0°θ180°。
4.根据权利要求3所述的硅片取片机构，其特征在于：θ=90°。
5.根据权利要求1所述的硅片取片机构，其特征在于：所述第一吸片部和/或第二吸片部的吸力小于硅片碎片极限力Fa，且第一吸片部大于第二吸片部吸力。
6.根据权利要求1所述的硅片取片机构，其特征在于：第一吸片部/第二吸片部连接有旋转驱动部。
7.根据权利要求6所述的硅片取片机构，其特征在于：所述旋转驱动部能够沿第一方向旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
