[实用新型]一种低剖面超宽频双极化辐射单元有效
申请号: | 202021298923.7 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN212991309U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 钱军;邵俊枫;梁启迪 | 申请(专利权)人: | 江苏亨鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50 |
代理公司: | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人: | 诸世跃 |
地址: | 214222 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 剖面 宽频 极化 辐射 单元 | ||
1.一种低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:其包括辐射面板(2)、PCB基板(4)以及连接在所述辐射面板(2)和所述PCB基板(4)之间的若干馈电片(3),所述馈电片(3)一端与所述辐射面板(2)连成一体,通过将所述辐射面板(2)上的部分材料冲弯形成所述馈电片(3)。
2.按照权利要求1所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述辐射面板(2)的材质为H70铜带或者镀锡铜板。
3.按照权利要求1所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述馈电片(3)垂直于所述辐射面板(2)。
4.按照权利要求1至3任一项所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述馈电片(3)和所述辐射面板(2)之间冲压成型有加强筋(34)。
5.按照权利要求1至3任一项所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述馈电片(3)上冲压成型有凸筋(38)。
6.按照权利要求5所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述凸筋(38)垂直于所述辐射面板(2)。
7.按照权利要求1至3任一项所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述辐射面板(2)上设置有至少一圈外凸的凸痕(21)。
8.按照权利要求7所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:至少一圈凸痕(21)设置于所述辐射面板(2)的外缘处。
9.按照权利要求1至3任一项所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述馈电片(3)包括主体(36)和连接部(35),所述连接部(35)的宽度小于所述主体(36)的宽度。
10.按照权利要求9所述低剖面超宽频双极化辐射单元,其特征在于:所述PCB基板(4)开设有若干与所述馈电片(3)对应的定位孔(41),所述连接部(35)配接于所述定位孔(41)内。
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