[实用新型]一种静电卡盘有效
申请号: | 202021304730.8 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN212659526U | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 张玉利;杨鹏远;王建冲;侯占杰;王超星;黎远成;何宏庆;樊文凤;唐娜娜 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;刘锋 |
地址: | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 卡盘 | ||
本实用新型公开一种静电卡盘,其包括陶瓷基体,所述陶瓷基体埋设有静电电极和加热电极,所述静电电极和加热电极在陶瓷基体中具有高度差,所述陶瓷基体和静电电极、加热电极一次烧结成型。与现有技术相比,本实用新型的静电卡盘的加热电极和静电电极是埋伏在陶瓷基体内且一次烧结成型的,避免了多次烧结带来的材料尺寸差异和内部组织恶化,实现分区加热和控温,达到升温效率高,温度均匀性高的指标。
技术领域
本实用新型涉及静电卡盘技术领域,特别是涉及一种静电卡盘。
背景技术
静电卡盘是利用静电吸附原理将待加工晶片吸附在其表面并且可以通过背吹气体来控制晶片表面温度的设备。在集成电路制造工艺中,特别是刻蚀工艺中,为了避免晶片出现移动或者错位现象而导致工艺过程无法正常进行,多采用静电卡盘对晶片进行固定、支撑。伴随关键尺寸值均匀性变得越来越重要,静电卡盘的温度均匀性和温控功能性期望值增加。
现有技术中,静电卡盘的具有吸附功能的陶瓷部件与具有加热功能的加热部件是分开制造后,采用胶水粘接在一起,加热部件本身可以精确控温。该静电卡盘的加热部件使用树脂片夹加热电极构成。实践中发现,该静电卡盘的表面径向温度差异明显。而且,树脂片长时间服役在真空高腐蚀性环境中,容易受到腐蚀而被破坏,即使采用多种手段改善破坏程度,效果并不明显。
现有技术中,为了解决树脂片所带来的径向温度差异、容易被腐蚀破坏的缺陷,采用陶瓷材料替换树脂片,将加热电极嵌入陶瓷材料内部,烧结形成加热陶瓷部件,再与具有吸附功能的陶瓷部件粘接集成。此种静电卡盘服役一段时间后发现,其导热性差,导温速率不够;而且,在晶片加工结束后,由于静电卡盘表面的温度过高而导致晶片不能有效脱附。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种温升效率高、温度均匀性高的静电卡盘。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种静电卡盘,其包括陶瓷基体,所述陶瓷基体埋设有静电电极和加热电极,所述静电电极和加热电极在陶瓷基体中具有高度差,所述陶瓷基体和静电电极、加热电极一次烧结成型。
发明人经过研究发现,现有技术的静电卡盘在服役一段时间后,导温速率不够、控温精度低的主要原因在于:具有加热功能的陶瓷部件和具有吸附功能的陶瓷部件是采用粘接的方式集成,由于胶体的抗热疲劳性有限,导致胶层分开;同时,由于粘接材料的导热性差,使得导温速率不够、控温精度低。因此,本发明人经过探索后,采用同一陶瓷基体埋设静电电极和加热电极并且一次烧结成型的方式,制得了新型的静电卡盘,既克服了采用树脂作为加热部件基体所带来的不耐等离子体腐蚀的缺陷,又能够克服粘接胶导热性较低带来的导温速率慢的缺陷,制得的静电卡盘温度均匀可控,适用于具有高腐蚀气体和大密度等离子体环境中。
进一步地,所述加热电极为多个,多个所述加热电极分布在所述陶瓷基体中的同一高度平面。在本优选方案中,多个加热电极是指至少两个加热电极,含有多个加热电极的静电卡盘一次烧结成型,可以避免多次烧结带来的材料尺寸差异过大和内部组织恶化,满足关键尺寸值均匀性的要求,又进一步保证了静电卡盘的品质。
进一步地,多个所述加热电极彼此不相交。由于各个加热电极之间不会相交,因此,可以对每个加热电极单独进行控温,从使使得静电卡盘具有多个温控区域。具体的方式可以是:每个所述加热电极分别与加热控制装置独立连接,控制装置可以对每个加热电极进行独立控温。
进一步地,所述加热电极呈线圈状,多个所述加热电极在所述陶瓷基体中形成一组同心圆。加热电极可以采用导电浆料印刷成各种形状图案,如螺旋形、线圈形等。在本优选方案中,加热电极呈线圈状可以有效地将热量传递至静电卡盘表面。多个加热电极独立控温,因此,形成了一组同心圆图案。
进一步地,所述静电卡盘还包括金属基体,所述金属基体设有流体通道,所述金属基体粘接在所述陶瓷基体的加热电极的下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造