[实用新型]一种半导体器件有效

专利信息
申请号: 202021310233.9 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN212625549U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 赵承贤;李鑫;高红梅;郑义;刘浩;盘伶子 申请(专利权)人: 珠海格力新元电子有限公司;珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 孙兵
地址: 519060 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括引线框架(5)、引线框架(5)外侧包裹的塑料壳体(1)、引线框架(5)外壁连接的引脚;

其特征在于:所述引线框架(5)底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置,所述绝缘密封装置将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量热传递导出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,具有导热性的绝缘密封装置为导热绝缘铜基树脂热片(3);引线框架(5)底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片(3),导热绝缘铜基树脂热片(3)为铜层和导热绝缘层叠加连接;通过导热绝缘铜基树脂热片(3)同时提供密封和导热,从而将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量直接散热出。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述导热绝缘铜基树脂热片(3)包括至少一个导热绝缘层和铜片(33)。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述导热绝缘铜基树脂热片(3)包括从上到下依次层叠未固化的第一高导热绝缘层(31)、完全固化的第二高导热绝缘层(32)和铜片(33),且铜片(33)贴合引线框架(5)底部连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述引线框架(5)内腔中安装有二者相互电性连接的芯片(6)和二极管FRD(7),芯片(6)为IGBT或者MOSFET。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述芯片(6)和引线框架(5)之间点焊有锡丝,所述二极管FRD(7)和引线框架(5)之间点焊有锡丝。

7.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述引线框架(5)上开设有螺钉孔(2)。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述塑料壳体(1)上开设有增加爬电距离的U型槽(4),且U型槽(4)设置在每两个相邻的引脚之间。

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