[实用新型]一种半导体器件有效
申请号: | 202021310233.9 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN212625549U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 赵承贤;李鑫;高红梅;郑义;刘浩;盘伶子 | 申请(专利权)人: | 珠海格力新元电子有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人: | 孙兵 |
地址: | 519060 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括引线框架(5)、引线框架(5)外侧包裹的塑料壳体(1)、引线框架(5)外壁连接的引脚;
其特征在于:所述引线框架(5)底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置,所述绝缘密封装置将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量热传递导出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,具有导热性的绝缘密封装置为导热绝缘铜基树脂热片(3);引线框架(5)底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片(3),导热绝缘铜基树脂热片(3)为铜层和导热绝缘层叠加连接;通过导热绝缘铜基树脂热片(3)同时提供密封和导热,从而将密封后的引线框架(5)内腔产生的热量直接散热出。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述导热绝缘铜基树脂热片(3)包括至少一个导热绝缘层和铜片(33)。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述导热绝缘铜基树脂热片(3)包括从上到下依次层叠未固化的第一高导热绝缘层(31)、完全固化的第二高导热绝缘层(32)和铜片(33),且铜片(33)贴合引线框架(5)底部连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述引线框架(5)内腔中安装有二者相互电性连接的芯片(6)和二极管FRD(7),芯片(6)为IGBT或者MOSFET。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述芯片(6)和引线框架(5)之间点焊有锡丝,所述二极管FRD(7)和引线框架(5)之间点焊有锡丝。
7.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述引线框架(5)上开设有螺钉孔(2)。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述塑料壳体(1)上开设有增加爬电距离的U型槽(4),且U型槽(4)设置在每两个相邻的引脚之间。
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