[实用新型]一种半导体器件

说明书

本实用新型公开了一种半导体器件，其中，结构主要包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚、引线框架内腔中安装有二者相互电性连接的芯片和二极管FRD；所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将引线框架内腔产生的热量直接散热出。本设计的半导体器件在制作过程中，工艺也方便，采用热压方式，提供高导热的散热路径从芯片到应用端的散热器，而不需要额外的绝缘垫片来实现高功率密度与电气绝缘。

技术领域

本实用新型属于电器相关技术领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

现有TO-3P(是指目前封装行业一种分立器件标准封装形式的简称)功率半导体器件封装结构采用异形引线框架结构，如图8中，直接在引线框架PAD位上进行固晶，PAD位与产品底部采用同一引线框架载体，无绝缘层进行隔离。缺陷是产品自身没有绝缘隔离，应用时需要在散热器10与产品之间增加导热绝缘垫片9，此种产品结构方案在应用端需要重新增加一块绝缘垫片9，以在产品底部与散热器之间实现导热绝缘，不仅生产效率低、成本高，而且整体导热性与可靠性低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体器件，以解决背景技术的问题。

为实现上述目的，本实用新型的一种半导体器件的具体技术方案如下：

一种半导体器件，包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚；

所述引线框架底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置，所述绝缘密封装置将密封后的引线框架内腔产生的热量热传递导出。

进一步的，所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将密封后的引线框架内腔产生的热量直接散热出。

进一步的，所述导热绝缘铜基树脂热片包括至少一个导热绝缘层和铜片。

进一步的，所述导热绝缘铜基树脂热片包括从上到下依次层叠的第一高导热绝缘层、第二高导热绝缘层和铜片，且铜片贴合引线框架底部连接。

进一步的，所述芯片为IGBT或者MOSFET。

进一步的，所述芯片和引线框架之间点焊有锡丝，所述二极管FRD和引线框架之间点焊有锡丝。

进一步的，所述引线框架上开设有螺钉孔。

进一步的，所述塑料壳体上开设有增加爬电距离的U型槽，且U型槽设置在每两个相邻的引脚之间。

相比较现有技术而言，本实用新型具有以下有益效果：

1.采用新的完全隔离封装结构，提供高导热的散热路径从芯片到应用端的散热器，而不需要额外的绝缘垫片来实现高功率密度与电气绝缘。

2.减少应用端的零部件使用，减少PCB板的组装工序及工装。

3.采用导热绝缘铜基树脂散热片结构，减少了器件在应用端PCB板安装附加的零部件，有效的控制了生产成本。

4.在引脚之间采用双槽塑封体结构，增加了产品的爬电距离，使产品适用于最小爬电距离要求为5.1mm的应用场合。

附图说明

图1为本实用新型结构主视图；

图2为本实用新型结构后视图；

图3为本实用新型结构导热绝缘铜基树脂热片示意图；

图4为本实用新型内部结构示意图；

图5为本实用新型结构在压合制作工艺的示意图；