[实用新型]光学级CVD金刚石膜片的制备系统有效
申请号: | 202021310823.1 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN213142181U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 裴珍玉;张代涛 | 申请(专利权)人: | 天津市宝利欣超硬材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/503 |
代理公司: | 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 | 代理人: | 蒋宏洋 |
地址: | 300402 天津市北*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 cvd 金刚石 膜片 制备 系统 | ||
1.一种光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:包括反应室(100),反应室(100)内的上部安装有等离子炬(400),反应室(100)内的下部设置有沉积区(600);等离子炬(400)包括引弧嘴(402),引弧嘴(402)内部的中心处设置有阴极(401),引弧嘴(402)与阴极(401)之间设置有阳极通道(403),阳极通道(403)上安装有氩气喷嘴(404),等离子炬(400)底部设置有阳极喷嘴(500);等离子炬(400)外周设置有励磁线圈(300);等离子炬(400)与励磁线圈(300)之间具有间隙;反应室(100)外周设置有冷却腔(200);冷却腔(200)主体成U形;冷却腔(200)的U形两侧区域一直延伸至等离子炬(400)与励磁线圈(300)之间的间隙内形成冷却用的通道;冷却腔(200)的U形两侧区域内螺旋分布设置有侧冷却管(201);冷却腔(200)的底部区域内螺旋分布设置有下冷却管(202);左右两侧的侧冷却管(201)下端分别与下冷却管(202)的左右两端连通;侧冷却管(201)、下冷却管(202)内有冷却水;沉积区(600)内可升降设置有升降台(602);升降台(602)上方转动设置有基盘(601);基盘(601)底面中央固定设置有基座(6011)。
2.根据权利要求1所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:沉积区(600)内于升降台(602)下方设置有固定板(605);固定板(605)上端面中央转动设置有主齿轮(606);主齿轮(606)外周啮合有至少两个副齿轮(607);副齿轮(607)下端面中央固定设置有转轴,转轴下端通过轴承安装于固定板(605)上;升降台(602)外侧端面上固定安装有滑块(603);反应室(100)内侧壁固定设置有滑轨(101),滑块(603)与滑轨(101)滑动适配;滑块(603)下端面开设有深螺孔(6031),深螺孔(6031)内螺纹连接有丝杠(608);丝杠(608)下端与副齿轮(607)上端面中央固定连接。
3.根据权利要求1所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:基座(6011)底部可转动安装有滑轮(6012);升降台(602)上端面中央设置有与滑轮(6012)对应适配的环形滑道(6022)。
4.根据权利要求1所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:升降台(602)上端面中央固定设置有限位环(6021);限位环(6021) 的内侧壁与基座(6011)外侧壁间隙配合;限位环(6021)上端面位于基盘(601)下方。
5.根据权利要求2所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:固定板(605)上端面中央通过支腿(6041)固定连接有限位中心块(604);限位中心块(604)外侧端面与滑块(603)内侧端面滑动连接。
6.根据权利要求5所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:反应室(100)内底壁上固定安装有第二电机(610),第二电机(610)位于固定板(605)下方;第二电机(610)输出轴朝上穿过固定板(605)与主齿轮(606)下端面中央固定连接;升降台(602)下端面中央固定安装有第一电机(609);第一电机(609)输出轴朝上穿过升降台(602)与基座(6011)下端面中央固定连接。
7.根据权利要求6所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:反应室(100)上部分别通过管道连通有真空泵(800)、进气装置(1100);反应室(100)内壁固定安装有红外测温仪(1000)。
8.根据权利要求7所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:限位中心块(604)上端面固定安装有位置传感器(1200)。
9.根据权利要求8所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:反应室(100)外包覆有外壳(700);外壳(700)表面固定安装有PLC控制器。
10.根据权利要求9所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统,其特征在于:等离子炬(400)、阳极喷嘴(500)、第一电机(609)、第二电机(610)、真空泵(800)、红外测温仪(1000)、进气装置(1100)、位置传感器(1200)、PLC控制器分别通过电线与电源(900)电性连接;等离子炬(400)、真空泵(800)、红外测温仪(1000)、进气装置(1100)、位置传感器(1200)分别通过电线与PLC控制器信号连接。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的