[实用新型]光学级CVD金刚石膜片的制备系统

说明书

本实用新型提供了一种光学级CVD金刚石膜片的制备系统，包括反应室，反应室内的上部安装有等离子炬，反应室内的下部设置有沉积区；等离子炬外周设置有励磁线圈；等离子炬与励磁线圈之间具有间隙；反应室外周设置有冷却腔；冷却腔主体成U形；冷却腔的U形两侧区域一直延伸至离子炬与励磁线圈之间的间隙内形成冷却用的通道；冷却腔内螺旋分布设置有冷却管，冷却管内有冷却水；沉积区内可升降设置有升降台；升降台上方转动设置有基盘；基盘底面中央固定设置有基座。本实用新型所述的光学级CVD金刚石膜片的制备系统，操作方便，适用于制备光学级CVD金刚石膜片。

技术领域

本实用新型属于金刚石薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种光学级CVD金刚石膜片的制备系统。

背景技术

目前，化学气相沉积(简称CVD)金刚石的力学、热学、光学等各项性能已经达到或接近天然金刚石的性能，金刚石薄膜涂层工具应用的范围越来越广,市场需求也在日益增长,在当今高科技领域具有广阔的应用前景。直流电弧等离子体喷射法制备CVD金刚石膜片是目前制备CVD金刚石膜片中比较常用的方法之一，能够适用制备光学级CVD金刚石膜片，然而，现有CVD金刚石膜片制备系统通常不便于调节金刚石沉积基台与直流电弧等离子体喷射区之间的距离，以及基台沉积的金刚石具有分布不均的问题，进而对沉积基台上沉积的金刚石质量产生影响。

发明内容

有鉴于此，本实用新型旨在提出一种光学级CVD金刚石膜片的制备系统，以克服上述背景技术中不足。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种光学级CVD金刚石膜片的制备系统，包括反应室，反应室内的上部安装有等离子炬，反应室内的下部设置有沉积区；等离子炬包括引弧嘴，引弧嘴内部的中心处设置有阴极，引弧嘴与阴极之间设置有阳极通道，阳极通道上安装有氩气喷嘴，等离子炬底部设置有阳极喷嘴；等离子炬外周设置有励磁线圈；等离子炬与励磁线圈之间具有间隙；反应室外周设置有冷却腔；冷却腔主体成U形；冷却腔的U形两侧区域一直延伸至离子炬与励磁线圈之间的间隙内形成冷却用的通道；冷却腔的U形两侧区域内螺旋分布设置有侧冷却管；冷却腔的底部区域内螺旋分布设置有下冷却管；左右两侧的侧冷却管下端分别与下冷却管的左右两端连通；侧冷却管、下冷却管内有冷却水；沉积区内可升降设置有升降台；升降台上方转动设置有基盘；基盘底面中央固定设置有基座。

进一步的，所述沉积区内于升降台下方设置有固定板；固定板上端面中央转动设置有主齿轮；主齿轮外周啮合有至少两个副齿轮；副齿轮下端面中央固定设置有转轴，转轴下端通过轴承安装于固定板上；升降台外侧端面上固定安装有滑块；反应室内侧壁固定设置有滑轨，滑块与滑轨滑动适配；滑块下端面开设有深螺孔，深螺孔内螺纹连接有丝杠；丝杠下端与副齿轮上端面中央固定连接。

进一步的，所述基座底部可转动安装有滑轮；升降台上端面中央设置有与滑轮对应适配的环形滑道。

进一步的，所述升降台上端面中央固定设置有限位环；限位环的内侧壁与基座外侧壁间隙配合；限位环上端面位于基盘下方。

进一步的，所述固定板上端面中央通过支腿固定连接有限位中心块；限位中心块外侧端面与滑块内侧端面滑动连接。

进一步的，所述反应室内底壁上固定安装有第二电机，第二电机位于固定板下方；第二电机输出轴朝上穿过固定板与主齿轮下端面中央固定连接；升降台下端面中央固定安装有第一电机；第一电机输出轴朝上穿过升降台与基座下端面中央固定连接。

进一步的，所述反应室上部分别通过管道连通有真空泵、进气装置；反应室外壁固定安装有红外测温仪，红外测温仪通过外壁上开设的窗口对室内进行测温。

进一步的，所述限位中心块上端面固定安装有位置传感器。

进一步的，所述反应室外包覆有外壳；外壳表面固定安装有PLC控制器。