[实用新型]一种硅晶圆的激光隐切装置

说明书

本实用新型涉及一种硅晶圆的激光隐切工艺，包括切割预制，切割作业及扩片作业等三个步骤。所使用的硅晶圆的激光隐切装置包括定位基架、工作台、定位槽、夹具、直线驱动导轨、三轴位移台、三维转台、承载台、激光标线仪、激光切割装置、升降驱动机构、温度传感器、压力传感器、位移传感器及驱动电路。本实用新型一方面加工工艺简单易掌握、且规范性，可有效提高硅晶圆加工作业工作效率和精度；另一方面在加工作业设备结构简单，运行自动化成都及作业精度高，并有效的克服了传统工艺及设备硅晶圆加工中严重物料浪费及硅晶圆加工中产生微裂纹及崩边的弊端，从而极大的提高了硅晶圆产品加工作业的精度和加工效率，并有助于降低降低成本。

技术领域

本实用新型涉及一种硅晶圆切割设备，属激光微加工领域。

背景技术

目前在进行硅晶圆加工制备作业中，所采用的传统加工工艺往往均是通过激光或金刚石刀轮首先对晶棒进行裁切，然后通过金刚石刀轮对切割后的晶圆毛坯件进行研磨，从而得到成品硅晶圆产品，虽然传统的加工工艺可以满足使用的需要，但一方面导致硅晶圆加工中物料损耗严重，且加工工艺复杂，加工效率低下；另一方面直接通过金刚石刀轮在对硅晶圆加工中，直接与晶棒及晶圆毛坯件表面接触，从而导致硅晶圆微裂纹及崩边现象严重，同时由于刀轮的 V 型或者 U 型结构，由于刀轮自身结构限制而无法切割 20 微米以下的超窄切割道的硅片，从而严重限制了硅晶圆切割加工作业的精度，难以有效满足使用的需要。

因此针对这一现状，需要开发一种全新的以克服传统工艺及设备在进行硅晶圆切割中的缺陷，提高硅晶圆加工作业的工作效率和精度。

实用新型内容

针对现有技术上存在的不足，本实用新型提供一种全新的一种硅晶圆的激光隐切装置，实用新型一方面结构简单，使用灵活方便，可有效满足多种结构类型硅晶圆加工作业的需要，并可克服传动切割刀具结构限制而无法满足20 微米以下结构切割作业的需要，且加工作业工作效率和精度高；另一方面有效的克服了传统工艺及设备硅晶圆加工中严重物料浪费及硅晶圆加工中产生微裂纹及崩边的弊端，从而进一步提高了硅晶圆产品加工作业的精度和加工效率，并有助于降低降低成本。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：

一种硅晶圆的激光隐切装置，包括定位基架、工作台、定位槽、夹具、直线驱动导轨、三轴位移台、三维转台、承载台、激光标线仪、激光切割装置、升降驱动机构、温度传感器、压力传感器、位移传感器及驱动电路，定位基架为横断面为矩形的框架结构，工作台嵌于定位基架内并与定位基架同轴分布，其下端面通过至少两个升降驱动机构与定位基架底部连接并与定位基架侧表面滑动连接，定位槽为横断面为呈“L”型的槽状结构，其下端面与工作台上端面平行分布并通过直线驱动导轨与工作台上端面滑动连接，定位槽中，两个定位槽构成一个承载组，同一承载组内的承载槽间对称分布且间距为0—5厘米，且当两个承载槽间间距为0时，两个承载槽构成轴向截面呈“凵”字形且轴线与工作台上端面垂直分布的槽状结构，夹具若干，环绕承载槽轴线进步在承载槽内并与承载槽侧壁连接，承载台通过三轴位移台与定位基架顶部下端面连接，且承载台前端面通过三维转台分别激光标线仪、激光切割装置连接，其中激光切割装置与承载台同轴分布，激光标线仪至少两个，环绕激光切割装置轴线均布，激光标线仪、激光切割装置光轴与工作台上端面呈30°—90°夹角，温度传感器数量与定位槽数量一致，每个定位槽上端面均通过弹性铰链与一个温度传感器铰接，压力传感器、位移传感器分别位于定位槽下端面与直线驱动导轨处，并与定位槽下端面连接，驱动电路嵌于定位基架外表面，并分别与夹具、直线驱动导轨、三轴位移台、三维转台、承载台、激光标线仪、激光切割装置、升降驱动机构、温度传感器、压力传感器、位移传感器电气连接。

进一步的，所述的工作台侧表面与定位基架侧壁内表面通过滑槽滑动连接，所述滑槽内设承载弹簧，所述承载弹簧与滑槽同轴分布，其两端分别与定位基架底部及工作台下端面垂直连接。