[实用新型]衬底支撑件

说明书

本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。

本申请是申请日为2019年12月2日、申请号为“201922123241.6”、实用新型名称为“衬底支撑件”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本公开的各方面整体上涉及等离子体处理腔室。更具体地，本公开的各方面涉及一种设置在等离子体处理腔室中的衬底支撑件。

背景技术

等离子体处理系统用于在衬底(诸如半导体衬底或透明衬底)上形成器件。在处理期间，将衬底保持在衬底支撑件上。衬底可以通过真空、重力、静电力、或通过其他合适的技术来保持到衬底支撑件。在处理期间，通过将功率(诸如射频(RF)功率)从耦接到电极的一个或多个电源施加到腔室中的电极来将腔室中的前驱物气体或气体混合物激励(例如，激发)成等离子体。激发的气体或气体混合物反应以在衬底的表面上蚀刻或形成材料层。所述层可以是(例如)钝化层、栅极绝缘体、缓冲层和/或蚀刻停止层。

在等离子体处理期间，在衬底支撑件、加热器、底座或静电吸盘(ESC)与处理腔室的顶部之间形成等离子体。在更高的处理温度下(例如，650℃)，衬底弯曲度高，并且使用ESC吸紧衬底以获得良好的均匀性。等离子体的RF返回路径穿过衬底支撑件并返回到RF电源。处理结果(例如，蚀刻、沉积等)的不均匀性或偏斜可能是由于RF返回路径、或底座加热器的几何形状的不对称性和/或围绕底座加热器边缘的等离子体壳层的弯曲引起的。在一些系统中，特别是在衬底支撑件附近防止沿RF返回路径的电弧放电是一项重大挑战。

因此，需要的是在等离子体处理腔室中的改进的衬底支撑件。

实用新型内容

本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。所述衬底支撑件被配置为减少电弧放电并且改进在衬底边缘处的等离子体壳层均匀性，从而产生更均匀沉积材料层以及其他益处。

在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。

在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，被配置为至少部分地支撑衬底；以及第一成角度侧壁，所述第一成角度侧壁向上且径向向外延伸。所述衬底支撑件还包括：第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方；以及第二成角度侧壁，所述第二成角度侧壁向下且径向向外延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面设置在所述第一上表面下方。

在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件还包括突起，所述突起从所述支撑表面突出。所述突起包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；第一顶表面；以及后壁。所述第一顶表面从所述第一成角度壁延伸到所述后壁。所述衬底支撑件还包括边缘环，所述边缘环设置在所述突起外并在距所述突起的所述后壁的一定间距处。