[实用新型]图像传感器的像素结构

权利要求书

1.一种图像传感器的像素结构，其特征在于，

包括多个像素子阵列，每个像素子阵列中包括多个像素单元；

其中，像素子阵列之间设置有背面深槽隔离结构；

同一像素子阵列内部的多个像素单元之间没有背面深槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述像素子阵列之间既有背面深槽隔离结构，又有离子注入隔离区域以钝化背面深槽隔离结构表面，减少刻蚀所带来的暗电流；所述同一像素子阵列内部的多个像素单元之间仅有离子注入隔离区域，用以分隔相邻像素单元的感光二极管，减少像素单元之间的串扰。

3.如权利要求2所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述像素子阵列内部的多个像素单元之间的离子注入隔离区域的深度小于像素单元的感光二极管的深度，以使所述像素子阵列内部的多个像素单元的感光二极管底部相互连接，增加感光二极管体积，提高满阱容量。

4.如权利要求1所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述像素子阵列内部的多个像素单元分别具有相同的微透镜，或者分别具有不同的微透镜，或者共用一个微透镜。

5.如权利要求1所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述像素子阵列内部的多个像素单元呈M×N阵列排布，M和N为大于等于2的自然数。

6.如权利要求1所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述像素子阵列内部的多个像素单元具有相同或不同的滤光层。

7.如权利要求2所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述像素子阵列之间的背面深槽隔离结构处于离子注入隔离区域之中。

8.如权利要求2所述的图像传感器的像素结构，其特征在于，所述离子注入隔离区域为P型掺杂区域。