[实用新型]一种声表面波裸芯片的双面封装结构

说明书

本实用新型公开了一种声表面波裸芯片的双面封装结构，包括层压板，在所述层压板的表面和底面上均设有声表裸芯片、控制器件和被动器件，在所述层压板的底面上还设有锡球，在所述层压板表面的声表裸芯片、控制器件和被动器件和层压板底面的声表裸芯片、控制器件、被动器件和锡球的贴装面上均设有环氧树脂薄膜层，所述声表裸芯片、控制器件、被动器件和锡球均通过金属电极与层压板相连。本实用新型解决了声表滤波器的二次封装问题，缩小了封装体积，并且进行双面贴装，可以进一步提升集成度。

技术领域

本实用新型涉及一种滤波器的封装结构，具体涉及一种声表面波裸芯片的双面封装结构。

背景技术

目前，终端产品集成度的提升是市场的必然趋势，集成化可以降低成本、提高性能，并且为终端客户提供模块化解决方案，节省客户的调试时间。这就要求射频前端模组集成更多的频段，和其他的功能器件，如开关，有源器件，被动器件等，封装在一个模块中。

现有声表面波滤波器对工作表面洁净度要求很高，因其工作原理还需要在工作面形成空腔，传统的封装方式是对单独的声表芯片进行封装以满足上述要求，再与其他频段的滤波器和其他功能器件封装在一起，这样对于滤波器会有二次封装的现象，体积增大；同时在行业中，因为工艺的限制，普遍存在的封装方式是单面封装，在集成度逐渐提高的情况下，封装模块的体积会进一步增大，不能满足产品日益小型化的需求。只能增大模块体积，增加集成度，或者减小模块体积，减小集成度来解决问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种声表面波裸芯片的双面封装结构，解决了声表滤波器的二次封装问题，缩小了封装体积，并且进行双面贴装，可以进一步提升集成度。

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：一种声表面波裸芯片的双面封装结构，包括层压板，在所述层压板的表面和底面上均设有声表裸芯片、控制器件和被动器件，在所述层压板的底面上还设有锡球，在所述层压板表面的声表裸芯片、控制器件和被动器件和层压板底面的声表裸芯片、控制器件、被动器件和锡球的贴装面上均设有环氧树脂薄膜层，所述声表裸芯片、控制器件、被动器件和锡球均通过金属电极与层压板相连。

作为一种优选，所述控制器件包括开关、PA 、LNA。

作为一种优选，所述被动器件包括电容、电感。

作为进一步的改进，所述层压板底面还设有被动器件。

作为一种优选，所述环氧树脂薄膜层采用环氧树脂片状薄膜材料。

一种声表面波裸芯片的双面封装结构的封装工艺，包括以下步骤，

第一步，先对层压板的表面进行贴装，将声表裸芯片、控制器件和被动器件根据需要，通过SMT、金球倒装或锡球倒装工艺贴装在层压板上，通过金属电极与层压板相连；

第二步，然后对层压板的底面进行贴装，将声表裸芯片，控制器件和被动器件根据需要，通过SMT、金球倒装或锡球倒装工艺贴装在层压板上，通过金属电极与层压板相连；并对底面进行植球，所植球为锡球，球直径大小根据产品需要来选择；

第三步，选择合适的环氧树脂片状薄膜材料，覆盖贴装好后的层压板表面和底面，然后进行真空压合；

第四步，对层压板的底面进行研磨，研磨的深度可以根据需要进行调节，研磨后露出所植的锡球；

第五步，对所植的锡球区域进行激光去除，去除选定区域的封装材料；

第六步，将封装完成的层压板过回流焊，回流焊后，由于锡球本身的特性，锡球改变形状重新形成球形，并突出于封装表面，可进行SMT贴装。

作为一种优选，第二步步骤中，植球和贴装芯片两道工序可根据需要来调整先后顺序。