[实用新型]一种LDO电路有效
申请号: | 202021373597.1 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN212341758U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 罗轶洲;郭擎;谢金纯;丁志春;肖文哲;何洪楷;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 广州芯世物科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 | 代理人: | 徐员兰 |
地址: | 511458 广东省广州市南沙区环市大道南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ldo 电路 | ||
本实用新型公开了一种LDO电路,包括:误差放大器、基准电流源、频率补偿电路、主功率管和反馈电路,误差放大器的反向输入端与反馈电路的一端连接,误差放大器的正向输入端连接参考电压,误差放大器的负电源输入端连接基准电流源,误差放大器的输出端分别连接频率补偿电路和主功率管的一端;频率补偿电路的另一端接电源;主功率管的另一端和反馈电路的另一端相连,作为LDO电路的输出端,用于连接负载;误差放大器和基准电流源均工作在亚阈值区。本实用新型采用了亚阈值设计策略,利用亚阈值特性进行温度补偿以及电平变换,保证电源抑制不会降低的同时改善了LDO的频响特性。可显著降低LDO整体功耗并减小版图面积。
技术领域
本实用新型属于稳压电路设计领域,特别涉及一种低压差线性稳压器 (LDO)电路。
背景技术
LDO(low dropout regulator),是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V-3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7V,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况,芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
然而,在现有技术中,尽可能地降低LDO电路的功耗并提高频率响应特性,一直都是本领域永无止境的追求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种LDO电路,以解决上述背景技术中提出的问题,降低LDO电路的功耗并改善频率响应特性。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种LDO电路,包括:误差放大器、基准电流源、频率补偿电路、主功率管和反馈电路,其中:
所述误差放大器的反向输入端与所述反馈电路的一端连接,所述误差放大器的正向输入端连接参考电压,所述误差放大器的负电源输入端连接所述基准电流源,所述误差放大器的输出端分别连接所述频率补偿电路和所述主功率管的一端;所述频率补偿电路的另一端接电源;所述主功率管的另一端和所述反馈电路的另一端相连,作为所述LDO电路的输出端,用于连接负载;
所述误差放大器和所述基准电流源均工作在亚阈值区。
优选地,所述LDO电路还包括基准电压源,用于为所述误差放大器提供所述参考电压,所述基准电压源工作在亚阈值区。
优选地,所述LDO电路还包括启动电路,所述启动电路与所述基准电流源连接,用于启动所述基准电流源。
优选地,所述启动电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一电容;所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极接所述电源,所述第一PMOS管的源极分别连接所述第二PMOS管的栅极以及所述第一电容的一端,所述第一PMOS 管的栅极作为所述启动电路的第一输出端;所述第二PMOS管的源极作为所述启动电路的第二输出端;所述第一电容的另一端接地;所述启动电路的第一输出端和第二输出端连接所述基准电流源。
优选地,所述基准电流源包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一电阻;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州芯世物科技有限公司,未经广州芯世物科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021373597.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。