[实用新型]一种沟槽MOSFET器件有效
| 申请号： | 202021384299.2 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN212587512U | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;唐呈前;李生龙;杨科;夏亮;完颜文娟;常虹 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 器件 | ||
1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：有源区沟槽，外围沟槽和外延层；
所述外延层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；
所述外围沟槽的宽度大于所述有源区沟槽的宽度；
所述外围沟槽的深度大于所述有源区沟槽的深度；
所述外围沟槽之间的间距与所述有源区沟槽之间的间距相等；
所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述有源区沟槽内的栅极氧化层的厚度。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括多晶硅层；
所述有源区沟槽和所述外围沟槽内均设置所述多晶硅层，位于所述有源区沟槽内的所述多晶硅层的上表面与所述栅极氧化层具有相同的高度，位于所述外围沟槽内的所述多晶硅层的上表面与所述SAC氧化层具有相同的高度。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括P型阱区层和N型源极层；
所述P型阱区层位于所述有源区沟槽之间以及所述有源区沟槽和所述外围沟槽之间；
位于所述有源区沟槽之间的所述P型阱区层上表面设置所述N型源极层。
4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，还包括截止环区沟槽，源极区金属层，外围截止区金属层和栅极区金属层；
所述截止环区沟槽与所述外围沟槽相邻；
所述源极区金属层通过接触孔金属层分别与位于所述有源区沟槽之间以及所述有源区沟槽和所述外围沟槽之间的所述P型阱区层相接触；
所述栅极区金属层通过接触孔金属层与所述多晶硅层相接触；
外围截止区金属层通过接触孔金属层分别与位于所述截止环区沟槽一侧的所述P型阱区层和位于所述外围沟槽内的所述多晶硅层相接触。
5.如权利要求1～4任意一项所述的器件，其特征在于，
所述外围沟槽的宽度为所述有源区沟槽的宽度的1.5倍；
所述外围沟槽的深度比所述有源区沟槽的深度多0.2微米；
所述外围沟槽包括栅极沟槽和外围耐压区沟槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华羿微电子股份有限公司，未经华羿微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021384299.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏电站太阳能板搬运设备
- 下一篇：荞壳填充垫装料机
- 同类专利
- 专利分类
