[实用新型]一种沟槽MOSFET器件

说明书

本实用新型公开了一种沟槽MOSFET器件，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。包括：有源区沟槽，外围沟槽和外延层；所述外延层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；所述外围沟槽的宽度大于所述有源区沟槽的宽度；所述外围沟槽的深度大于所述有源区沟槽的深度；所述外围沟槽之间的间距与所述有源区沟槽之间的间距相等；所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述有源区沟槽内的栅极氧化层的厚度。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，更具体的涉及一种沟槽 MOSFET器件。

背景技术

传统功率器件MOSFET(英文为：Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，中文为：金属氧化物半导体场效晶体管)外围耐压设计中，目前主要采用JTE(英文为：Junction Termination Extension，终结端扩展)或者沟槽两者耐压终端结构，其中JTE结构是一种利用PN结进行耐压，这种终端结构的缺点是最外围耐压环由于工艺中热过程的作用，其扩散是不可控的且需要占用很大终端面积，从而压缩实际器件工作区域的面积；而沟槽型终端结构主要受沟槽内部氧化层的影响，其耐压范围主要在低压领域，且当器件受到外部冲击时，表现不稳定且可靠性较差。

综上所述，现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种沟槽MOSFET器件，用于解决现有MOSFET 外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。

本实用新型实施例提供一种沟槽MOSFET器件，包括：有源区沟槽，外围沟槽和外延层；

所述外延层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；

所述外围沟槽的宽度大于所述有源区沟槽的宽度；

所述外围沟槽的深度大于所述有源区沟槽的深度；

所述外围沟槽之间的间距与所述有源区沟槽之间的间距相等；

所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述有源区沟槽内的栅极氧化层的厚度。

优选地，还包括多晶硅层；

所述有源区沟槽和所述外围沟槽内均设置所述多晶硅层，位于所述有源区沟槽内的所述多晶硅层的上表面与所述栅极氧化层具有相同的高度，位于所述外围沟槽内的所述多晶硅层的上表面与所述SAC氧化层具有相同的高度。

优选地，还包括P型阱区层和N型源极层；

所述P型阱区层位于所述有源区沟槽之间以及所述有源区沟槽和所述外围沟槽之间；

位于所述有源区沟槽之间的所述P型阱区层上表面设置所述N型源极层。

优选地，还包括截止环区沟槽，源极区金属层，外围截止区金属层和栅极区金属层；

所述截止环区沟槽与所述外围沟槽相邻；

所述源极区金属层通过接触孔金属层分别与位于所述有源区沟槽之间以及所述有源区沟槽和所述外围沟槽之间的所述P型阱区层相接触；

所述栅极区金属层通过接触孔金属层与所述多晶硅层相接触；

外围截止区金属层通过接触孔金属层分别与位于所述截止环区沟槽一侧的所述P型阱区层和位于所述外围沟槽内的所述多晶硅层相接触。

优选地，所述外围沟槽的宽度为所述有源区沟槽的宽度的1.5倍；

所述外围沟槽的深度比所述有源区沟槽的深度多0.2微米；

所述外围沟槽包括栅极沟槽和外围耐压区沟槽。