[实用新型]一种芯片的封装结构

说明书

本实用新型涉及一种芯片的封装结构，包括芯片以及在基材上电铸成型的金属管脚模块，芯片通过引线与金属管脚模块之间形成电连接，其特征在于，芯片背面覆盖有用于在封装时将芯片贴在基材上的可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层，金属管脚模块、芯片、引线及可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层位于包封层内，包封层仅覆盖至芯片正面的边缘，芯片正面的感应区露于外。本实用新型可使封装体厚度小于或等于200微米，同时满足高可靠性要求。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片(尤其是光学芯片)的封装结构，属于半导体技术领域。

背景技术

随着消费类电子产品的发展，终端的需求对产品的空间尺寸要求越来越小、越来越薄，集成度越来越高。例如：扁平无引脚封装(Qual Flat Non Lead Package,QFN)，QFN结构通常包含芯片焊盘与引线管脚行程的导线框架、塑封树脂包封层、金属引线及芯片。由于引线框架的结构及封装工艺的限制，其封装包封层厚度最小为450微米左右。

在传统指纹芯片封装工艺中，为了使芯片表面感应区域外露，在注塑封装工序中需要异形注塑模具，其缺陷在于模具成本高昂，不同的芯片设计需要不同的异形注塑模具。由此带来了极大的封装成本和极低的操作灵活性。

现有封装方法将芯片贴合在基板上，直接通过引线键合将芯片焊盘与基板关键连接实现电气连接。虽然可以实现封装厚度在250微米左右，但是芯片裸露于环境中，可靠性不能满足要求，同时封装过程中可操作性极低。采用现有铜框架封装芯片，能够满足军标标准第三等级，但是其封装厚度在450微米左右，实现不了超薄封装。同时在封装时，为了使芯片正面裸露于包封层，需采用异形塑封模具封装。异形模具成本高昂，灵活度极低，故不适合在消费类电子芯片封装领域。

实用新型内容

本实用新型的目的是：降低半导体封装结构的厚度和封装工艺的难度。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是提供了一种芯片的封装结构，包括芯片以及在基材上电铸成型的金属管脚模块，芯片通过引线与金属管脚模块之间形成电连接，其特征在于，芯片背面覆盖有用于在封装时将芯片贴在基材上的可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层，金属管脚模块、芯片、引线及可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层位于包封层内，包封层仅覆盖至芯片正面的边缘，芯片正面的感应区露于外。

优选地，所述金属管脚边缘具有蘑菇头结构。

优选地，所述基材上的金属管脚、焊盘的厚度为40—65微米。

优选地，所述芯片正面感应区表面高度低于包封层上表面，形成凹槽“天井结构”。

本实用新型的另一个技术方案是提供了一种芯片的封装结构，包括芯片以及在基材上电铸成型的金属管脚模块、金属焊盘，芯片通过引线与金属管脚模块之间形成电连接，其特征在于，芯片背面覆盖有可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层，芯片通过可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层与金属焊盘连接固定，金属焊盘、金属管脚模块、芯片、引线及可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层位于包封层内，包封层仅覆盖至芯片正面的边缘，芯片正面的感应区露于外。

优选地，所述金属管脚边缘具有蘑菇头结构。

优选地，所述基材上的金属管脚、焊盘的最佳厚度为40—65微米。

优选地，所述芯片正面感应区表面高度低于包封层上表面，形成凹槽“天井结构”。

本实用新型的另一个技术方案是提供了一种芯片的封装结构，包括芯片以及在基材上电铸成型的金属管脚模块，芯片通过引线与高管脚的金属管脚模块之间形成电连接，其特征在于，芯片背面覆盖有用于在封装时将芯片贴在基材上的可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层，金属管脚模块、芯片及可固化、高可靠性粘接材料或高分子材料层位于包封层内，包封层仅覆盖至芯片正面的边缘，芯片正面的感应区露于外，引线外包裹有胶层。