[实用新型]一种高纯锗单晶炉拉制装置

说明书

本实用新型公开了一种高纯锗单晶炉拉制装置，包括安装板，所述安装板顶部的左侧贯穿设置有钼杆，所述钼杆的底部固定连接有螺纹钼杆，所述螺纹钼杆的表面螺纹连接有石英杆，所述钼杆的两侧均开设有凹槽，所述凹槽内壁的底部贯穿设置有卡销，所述石英杆顶部的两侧均开设有卡槽，所述卡销的底部延伸至卡槽的内腔并与其内壁活动连接。本实用具备便于使用的优点，解决了现有的高纯锗单晶炉拉制装置在使用锗籽晶对热熔锗多晶进行拉制时，使用金属钼杆伸入单晶炉的高温区内，单晶炉内的高温区会对金属钼杆造成影响，容易造成杂质进入到锗多晶内，不便于自动控制锗籽晶进入到热熔锗多晶进行拉制，增加了使用者工作量的问题。

技术领域

本实用新型涉及高纯锗单晶炉技术领域，具体为一种高纯锗单晶炉拉制装置。

背景技术

锗单晶是不含大角晶界或孪晶的锗晶体，呈金刚石型晶体结构，是重要的半导体材料，锗在红外光学中的应用，主要是用来制造红外光学镜头以及保护红外光学镜头的红外光学窗口，60%以上的中低端红外光学镜头为锗单晶制造，50%的高端红外光学镜头为锗单晶制造，锗材料在红外镜头中的应用十分广泛，民用红外镜头中，中小口径镜头单套耗锗量250克左右，大口径为2500克左右。

现有的高纯锗单晶炉拉制装置在使用锗籽晶对热熔锗多晶进行拉制时，使用金属钼杆伸入单晶炉的高温区内，单晶炉内的高温区会对金属钼杆造成影响，容易造成杂质进入到锗多晶内，不便于自动控制锗籽晶进入到热熔锗多晶进行拉制，增加了使用者的工作量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高纯锗单晶炉拉制装置，具备便于使用的优点，解决了现有的高纯锗单晶炉拉制装置在使用锗籽晶对热熔锗多晶进行拉制时，使用金属钼杆伸入单晶炉的高温区内，单晶炉内的高温区会对金属钼杆造成影响，容易造成杂质进入到锗多晶内，不便于自动控制锗籽晶进入到热熔锗多晶进行拉制，增加了使用者工作量的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高纯锗单晶炉拉制装置，包括安装板，所述安装板顶部的左侧贯穿设置有钼杆，所述钼杆的底部固定连接有螺纹钼杆，所述螺纹钼杆的表面螺纹连接有石英杆，所述钼杆的两侧均开设有凹槽，所述凹槽内壁的底部贯穿设置有卡销，所述石英杆顶部的两侧均开设有卡槽，所述卡销的底部延伸至卡槽的内腔并与其内壁活动连接，所述石英杆的底部开设有固定槽，所述固定槽内壁的顶部固定连接有螺纹石英杆，所述螺纹石英杆的表面螺纹连接有石英管，所述石英管内壁的底部贯穿设置有锗籽晶，所述安装板底部的右侧固定连接有固定管，所述固定管的底部固定连接有壳体，所述壳体内腔的底部固定连接有电机，所述电机的输出轴延伸至固定管内腔的底部并固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的表面螺纹连接有螺纹管，所述螺纹管两侧的底部均固定连接有限位杆，所述固定管内壁的两侧均开设有限位槽，所述限位杆远离螺纹管的一端延伸至限位槽的内腔并与其内壁活动连接，所述螺纹管的顶部延伸至安装板的顶部并固定连接有连接板，所述钼杆的顶部与连接板底部的左侧固定连接。

优选的，所述石英杆的顶部开设有与螺纹钼杆配合使用的螺纹槽，所述卡销的直径与卡槽的内径相适配。

优选的，所述石英管的直径与固定槽的内径相适配，所述石英管的表面与固定槽的内壁活动连接。

优选的，所述固定管的顶部与安装板的右侧均开设有与螺纹管配合使用的活动孔，所述螺纹管的表面与活动孔的内壁活动连接。

优选的，所述壳体的顶部与固定管的底部均开设有通孔，且通孔的内壁设置有轴承，所述电机的输出轴与轴承过盈配合。

优选的，所述壳体的右侧固定安装有控制器，且控制器的输出端与电机的输入端电性连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：