[实用新型]功率放大器

权利要求书

1.一种功率放大器，其特征在于，包括用于接收射频信号的输入节点、用于输出放大后的射频信号的输出节点，以及用于将所述输入节点接收到的射频信号放大之后发送至所述输出节点的晶体管阵列；

所述晶体管阵列包括至少两排晶体管组，每一排所述晶体管组中包括至少一个晶体管；

相邻两排所述晶体管组之间的最小距离大于零；相邻两排所述晶体管组中的晶体管顺次交错排布；

所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的基极均并联连接所述输入节点，所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的集电极均并联连接所述输出节点，所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的发射极均接地。

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，同一排所述晶体管组中的任意两个相邻的所述晶体管之间的距离均相等。

3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，同一排所述晶体管组中的相邻两个所述晶体管之间的距离小于所述晶体管的宽度；和/或

相邻两排所述晶体管组之间的最大距离小于所述晶体管的宽度。

4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括设置在所述晶体管阵列的相对两侧的第一金属区域和第二金属区域；

所述第一金属区域上设有至少一个第一通孔，所述第二金属区域上设有至少一个第二通孔；

所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的发射极均连接所述第一金属区域以及所述第二金属区域，并通过所述第一金属区域的所述第一通孔以及所述第二金属区域的所述第二通孔接地。

5.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括连接在所述第一金属区域与各所述晶体管的发射极之间的多个第一连接电路，以及连接在所述第二金属区域与各所述晶体管的发射极之间的多个第二连接电路；

所述第一连接电路连接在所述晶体管的发射极朝向所述第一金属区域的一侧；所述第二连接电路连接在所述晶体管的发射极朝向所述第二金属区域的一侧；所有所述第一连接电路与所有所述第二连接电路均位于第一电路层中。

6.根据权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括连接在所述输入节点与各所述晶体管的基极之间的多个第三连接电路；

所述第三连接电路连接在所述晶体管的基极朝向所述第一金属区域的一侧；所有所述第三连接电路均位于第二电路层中；所述第一电路层与所述第二电路层平行，且所述第一电路层和所述第二电路层之间的距离大于零。

7.根据权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括连接在所述输出节点与各所述晶体管的集电极之间的多个第四连接电路；

所述第四连接电路连接在所述晶体管的集电极朝向所述第二金属区域的一侧；所有所述第四连接电路均位于第三电路层中；所述第一电路层与所述第三电路层平行，且所述第一电路层和所述第三电路层之间的距离大于零。

8.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述第一金属区域中的所有所述第一通孔的中心点间隔排布在与所述第一金属区域平行的第一直线上；所述第二金属区域中的所有所述第二通孔的中心点间隔排布在与所述第二金属区域平行的第二直线上。

9.根据权利要求8所述的功率放大器，其特征在于，任意相邻两个第一通孔的中心点之间的第一间距相等，任意相邻两个第二通孔的中心点之间的第二间距相等；所述第一间距等于所述第二间距。

10.根据权利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述第一直线平行于所述第二直线。