[实用新型]功率放大器有效
申请号: | 202021400878.1 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN212277178U | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 曹原;胡自洁;倪楠;倪建兴 | 申请(专利权)人: | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H03F3/21 |
代理公司: | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人: | 杨雪琴 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区园岭街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 | ||
本实用新型属于放大器技术领域,尤其涉及一种功率放大器。该功率放大器包括输入节点、输出节点以及用于将输入节点接收到的射频信号放大之后发送至输出节点的晶体管阵列;晶体管阵列包括至少两排晶体管组,每一排晶体管组中包括至少一个晶体管;相邻两排晶体管组之间的最小距离大于零;相邻两排晶体管组中的晶体管顺次交错排布;晶体管阵列中的所有晶体管的基极均并联连接输入节点,晶体管阵列中的所有晶体管的集电极均并联连接输出节点,晶体管阵列中的所有晶体管的发射极均接地。本实用新型功率放大器通过改变晶体管阵列中的晶体管的排布方式,在同等芯片面积下增加了相邻晶体管之间的有效间距,保证了晶体管的散热,提高了芯片的可靠性和寿命。
技术领域
本实用新型属于放大器技术领域,尤其涉及一种功率放大器。
背景技术
在无线通信系统中,功率放大器的作用越来越重要,其被普遍地应用在无线远程通信、定位导航、卫星通信等系统中。在射频前端电路中,功率放大器作为发射机的重要模块,其工作带宽、输出功率、附加效率以及其线性度等性能严重地影响了无线通信系统的质量。功率放大器主要是利用晶体管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。现有技术中的功率放大器的晶体管阵列中,由于芯片面积有限,晶体管阵列中每一晶体管的距离都较小,如此,对于晶体管工作过程中产生的热量的散发极为不利;而直接通过增加相邻晶体管之间的间距的方式提升晶体管的散热性能,会使得芯片面积成倍增加,大大提升了芯片的成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:针对现有技术中晶体管之间距离较小导致的散热不利等问题,提供一种功率放大器。
为解决上述技术问题,一方面,本实用新型实施例提供一种功率放大器,包括用于接收射频信号的输入节点、用于输出放大后的射频信号的输出节点,以及用于将所述输入节点接收到的射频信号放大之后发送至所述输出节点的晶体管阵列;
所述晶体管阵列包括至少两排晶体管组,每一排所述晶体管组中包括至少一个晶体管;
相邻两排所述晶体管组之间的最小距离大于零;相邻两排所述晶体管组中的晶体管顺次交错排布;
所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的基极均并联连接所述输入节点,所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的集电极均并联连接所述输出节点,所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的发射极均接地。
可选地,同一排所述晶体管组中的任意两个相邻的所述晶体管之间的距离均相等。
可选地,同一排所述晶体管组中的相邻两个所述晶体管之间的距离小于所述晶体管的宽度;和/或
相邻两排所述晶体管组之间的最大距离小于所述晶体管的宽度。
可选地,所述功率放大器还包括设置在所述晶体管阵列的相对两侧的第一金属区域和第二金属区域;
所述第一金属区域上设有至少一个第一通孔,所述第二金属区域上设有至少一个第二通孔;
所述晶体管阵列中的所有所述晶体管的发射极均连接所述第一金属区域以及所述第二金属区域,并通过所述第一金属区域的所述第一通孔以及所述第二金属区域的所述第二通孔接地。
可选地,所述功率放大器还包括连接在所述第一金属区域与各所述晶体管的发射极之间的多个第一连接电路,以及连接在所述第二金属区域与各所述晶体管的发射极之间的多个第二连接电路;
所述第一连接电路连接在所述晶体管的发射极朝向所述第一金属区域的一侧;所述第二连接电路连接在所述晶体管的发射极朝向所述第二金属区域的一侧;所有所述第一连接电路与所有所述第二连接电路均位于第一电路层中。
可选地,所述功率放大器还包括连接在所述输入节点与各所述晶体管的基极之间的多个第三连接电路;
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