[实用新型]一种等离子体化学气相沉积工艺用基座有效
申请号: | 202021401925.4 | 申请日: | 2020-07-16 |
公开(公告)号: | CN212770956U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 蔡广云;车午秉;余波;张乐乐 | 申请(专利权)人: | 合肥微睿光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458 |
代理公司: | 合肥超通知识产权代理事务所(普通合伙) 34136 | 代理人: | 余红 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 化学 沉积 工艺 基座 | ||
1.一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,包括有金属基座,其特征在于:所述的金属基座的四周设有环形台阶,沿所述环形台阶的台阶面分别设有多个绝缘条块,每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部,每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部,相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起;沿所述环形台阶的台阶面在每个绝缘条块的下方均分别设有定位孔和位于所述定位孔两侧的导向孔,每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入所述定位孔和导向孔中的定位销和导向销。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:多个所述的绝缘条块均采用陶瓷条块。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:相邻二个绝缘条块在搭接部的两端均设有相互错开的间隙。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:与每个绝缘条块相对应的定位孔为圆形盲孔,至少有一个。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:与每个绝缘条块相对应的导向孔为腰形盲孔,至少有二个。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的