[实用新型]一种等离子体化学气相沉积工艺用基座有效

专利信息
申请号: 202021401925.4 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN212770956U 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 蔡广云;车午秉;余波;张乐乐 申请(专利权)人: 合肥微睿光电科技有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/458
代理公司: 合肥超通知识产权代理事务所(普通合伙) 34136 代理人: 余红
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 化学 沉积 工艺 基座
【权利要求书】:

1.一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,包括有金属基座,其特征在于:所述的金属基座的四周设有环形台阶,沿所述环形台阶的台阶面分别设有多个绝缘条块,每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部,每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部,相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起;沿所述环形台阶的台阶面在每个绝缘条块的下方均分别设有定位孔和位于所述定位孔两侧的导向孔,每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入所述定位孔和导向孔中的定位销和导向销。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:多个所述的绝缘条块均采用陶瓷条块。

3.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:相邻二个绝缘条块在搭接部的两端均设有相互错开的间隙。

4.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:与每个绝缘条块相对应的定位孔为圆形盲孔,至少有一个。

5.根据权利要求1所述的一种等离子体化学气相沉积工艺用基座,其特征在于:与每个绝缘条块相对应的导向孔为腰形盲孔,至少有二个。

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