[实用新型]一种等离子体化学气相沉积工艺用基座

说明书

本实用新型公开了一种等离子体化学气相沉积工艺用基座，包括有金属基座、环形台阶和多个绝缘条块，每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部，每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部，相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起；环形台阶的台阶面上均分别设有定位孔和位于定位孔两侧的导向孔，每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入定位孔和导向孔中的定位销和导向销。本实用新型在金属基座的四周设置环形台阶，并在环形台阶上设置首尾相搭接的多个绝缘条块，在实施等离子体化学气相沉积工艺过程中能够防止电弧的产生，且能够适应金属基座正常的受热膨胀，保证了等离子体化学气相沉积工艺的正常进行，保障了安全生产。

技术领域

本实用新型涉及薄膜沉积设备用基座技术领域，具体是一种等离子体化学气相沉积工艺用基座。

背景技术

加热基座(铝件)在工业加工生产中应用比较广泛，尤其在液晶面板制造领域，往往需要在玻璃基板上等离子体化学气相沉积工艺，此工艺一般需要采用加热基座来提供一定的热量，以满足实施等离子体化学气相沉积工艺所需的温度条件。在加热过程中，温度可达360℃，加热基座会受热而发生膨胀。

实施等离子体化学气相沉积工艺，是采用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜。即在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积。在上述过程中，往往会在金属基座的四周产生电弧，不仅给等离子体化学气相沉积工艺的正常进行造成了影响，而且也具有一定的安全隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术存在的缺陷和不足，提供一种等离子体化学气相沉积工艺用基座，在金属基座的四周设置环形台阶，并在环形台阶上设置首尾相搭接的多个绝缘条块，在实施等离子体化学气相沉积工艺过程中能够防止电弧的产生，且能够适应金属基座正常的受热膨胀，以保证等离子体化学气相沉积工艺的正常进行，保障安全生产。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种等离子体化学气相沉积工艺用基座，包括有金属基座，其特征在于：所述的金属基座的四周设有环形台阶，沿所述环形台阶的台阶面分别设有多个绝缘条块，每个绝缘条块的一端均具有呈台阶状的上搭接部，每个绝缘条块的另一端均具有呈台阶状的下搭接部，相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起；沿所述环形台阶的台阶面在每个绝缘条块的下方均分别设有定位孔和位于所述定位孔两侧的导向孔，每个绝缘条块的底部均分别连接有对应插入所述定位孔和导向孔中的定位销和导向销。

进一步的，所述的多个绝缘条块均采用陶瓷条块。

进一步的，相邻二个绝缘条块在搭接部的两端均设有相互错开的间隙。

进一步的，与每个绝缘条块相对应的定位孔为圆形盲孔，至少有一个。

进一步的，与每个绝缘条块相对应的导向孔为腰形盲孔，至少有二个。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型在金属基座的四周设置环形台阶，并在环形台阶上设置多个绝缘条块，具有绝缘的作用，在实施等离子体化学气相沉积工艺过程中能够防止电弧的产生，保证了等离子体化学气相沉积工艺的正常进行，保障了安全生产。

2、本实用新型所采用的多个绝缘条块，相邻二个绝缘条块的上搭接部与下搭接部分别搭接在一起，不会露出环形台阶的台阶面，杜绝了电弧的产生，且能够适应金属基座沿长度和宽度方向受热膨胀。

3、本实用新型采用相配合的定位孔和定位销将每个绝缘条块固定在环形台阶上，使得绝缘条块保持相对静止；同时采用相配合的导向孔和导向销，在金属基座沿长度和宽度方向受热膨胀的过程中，导向孔相对于导向销发生移动，既能够适应金属基座沿长度和宽度方向受热膨胀，又能够避免绝缘条块发生移位。

附图说明