[实用新型]一种用于MPCVD系统的导流式样品托及MPCVD系统有效
申请号: | 202021415247.7 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN212713747U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 王宏兴;王艳丰 | 申请(专利权)人: | 西安德盟特半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/27 |
代理公司: | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人: | 刘艳霞 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 mpcvd 系统 导流 式样 | ||
1.一种用于MPCVD系统的导流式样品托,其特征在于,包括:
样品托本体(2),用于水平放置于反应腔内,所述样品托本体(2)的上方中心处设置有用于导入气流(6)的气体导入口;所述样品托本体(2)的下部为圆柱体状,其上部包括同轴设置的挡流板(7)和导流台(3),所述挡流板(7)位于外侧且为圆环体;
所述导流台(3)为一上小下大的圆台体;所述导流台(3)的上表面为水平状,用于放置金刚石样品(5);所述导流台(3)的下端直径与所述挡流板(7)内环直径相同,所述导流台(3)的高度满足以下条件:所述金刚石样品(5)放置在导流台(3)上时,所述金刚石样品(5)的上表面不超过挡流板(7)的上表面;
在所述挡流板(7)底部环绕一周间隔、且均匀贯通开设有多个径向导流孔(4);各所述导流孔(4)用于:将气流(6)流经气体导入口、金刚石样品(5)表面、导流台(3)侧壁后导出样品托本体(2)的外部。
2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD系统的导流式样品托,其特征在于,所述导流台(3)侧壁与水平面的夹角为α,α的取值范围为20°~80°。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD系统的导流式样品托,其特征在于,各所述导流孔(4)的内径为1mm~10mm。
4.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD系统的导流式样品托,其特征在于,所述样品托本体(2)的圆柱体下部、以及挡流板(7)和导流台(3)均为同轴设置的一体式结构。
5.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD系统的导流式样品托,其特征在于,所述导流孔(4)为一排、或者从上到下均匀分布的多排。
6.一种MPCVD系统,其特征在于,包括权利要求1-5中任一项所述的一种用于MPCVD系统的导流式样品托。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的