[实用新型]集成电路、测温装置和电子设备有效
| 申请号： | 202021441269.0 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN212519573U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 田雨洪 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张倍源 |
| 地址： | 330100 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 测温 装置 电子设备 | ||
1.一种集成电路，其特征在于，包括依次层叠设置的基材层、导电层和芯片，所述导电层包括薄膜电阻，所述薄膜电阻为导电线绕折而成并贴附于所述基材层和所述芯片之间，且所述芯片到所述基材层的投影覆盖所述薄膜电阻，所述薄膜电阻与所述芯片的对应引脚电连接。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述基材层为PI层，和/或所述基材层的厚度为50微米至500微米。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电线为金属线或导电薄膜蚀刻成的绕折线。
4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述金属线为铜镍合金线，和/或所述金属线的方阻为2.5欧姆至10欧姆。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述薄膜电阻由导电线沿第一方向往返绕折形成，或所述薄膜电阻由导电线沿第二方向往返绕折形成；其中，所述第一方向为所述芯片设置有引脚的一侧向所述芯片设置有引脚的相对另一侧的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电线的线宽线距为2微米至50微米，和/或所述导电线的线宽线距相等。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述导电层和所述芯片之间。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述绝缘层的厚度为8微米至30微米。
9.一种测温装置，其特征在于，包括热电偶和权利要求1-8任意一项所述的集成电路，所述热电偶连接所述集成电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的测温装置。
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