[实用新型]一种MOSFET浪涌保护电路

权利要求书

1.一种MOSFET浪涌保护电路，包括MOSFET管Q1、主控IC及连接主控IC的VCC引脚的ICVCC电源电路，MOSFET管（Q1）的栅极引脚连接主控IC的Gate引脚、源极引脚接地、漏极引脚接与母线电压Vbus连接的变压器一端，为IC提供直流电压供电的主控IC VCC电源电路的二极管一（D1）经电阻连接变压器另一绕组的Vout2端，其特征在于：还包括：

通过Vout2为IC VCC电源电路提供电源的VCC电源电路；

用于检测母线电压Vbus并生成采样信号输出的采样电路；

控制主控IC供电电源通断的控制电路，以实现MOSFET开启和关断；

交流源S上电后通过Vbus母线取电流，提供主控IC VCC电源的启动电路；

将交流源S 50Hz、220V正弦波整流成100Hz正半周期正弦波信号的整流电路，其中，所述采样电路，包括依次串联的电阻一（R1）、电阻五（R5）、电阻二（R2），串联电路的一端连接母线电压Vbus和浪涌电压VHV端，另一端连接接地参考点，电阻一（R1）、电阻五（R5）和电阻二（R2）的串联结点作为母线电压Vbus采样电路的输出端用于检测母线电压Vbus和浪涌电压VHV并生成采样信号输出，连接控制电路中精密基准U1的控制引脚；

所述的控制电路连接在IC VCC电源电路和VCC电源电路之间。

2.根据权利要求1所述的MOSFET浪涌保护电路，其特征在于：所述采样电路包括电阻一（R1）、电阻二（R2）、电阻五（R5）、电容四（C4）和二极管三（D3），由电阻一（R1）与电阻二（R2）组成检测浪涌电压VHV；电阻五（R5）和电阻二（R2）组成检测母线电压Vbus，电阻一（R1）的第一引脚连接二极管三（D3）阴极，二极管三（D3）的阳极连接母线电压Vbus，电阻二（R2）的第二引脚与电阻一（R1）的第一引脚分别连接控制电路中精密基准U1的3引脚；电阻二（R2）的第一引脚连接至接地参考点；电容四（C4）正极连接电阻一（R1）的第一引脚和二极管三（D3）阴极，电容四（C4）负极连接到接地参考点，由所述的电容四（C4）将正弦半周期波形整形成直流电压VHV；浪涌电压VHV经过电阻一（R1）与电阻二（R2）的分压，将信号送至精密基准U1的3引脚；电阻五（R5）第一引脚连接母线电压Vbus，电阻五（R5）第二引脚连接到电阻二（R2）的第二引脚、电阻一（R1）的第一引脚结点作为母线电压Vbus采样电路的输出端和控制电路中精密基准U1的控制引脚。

3.根据权利要求1或2所述的MOSFET浪涌保护电路，其特征在于：所述控制电路，包括精密基准U1、电阻三（R3）、三极管（Q2）、稳压管（Z1），其中，稳压管（Z1）阳极连接到接地参考点，稳压管（Z1）阴极连接到三极管（Q2）的基极引脚B，三极管（Q2）的集电极引脚C连接VCC电源电路中二极管二（D2）的阴极；三极管（Q2）的发射极引脚E连接至IC VCC电源电路的二极管一（D1）的阳极；所述控制电路的精密基准U1的阳极连接到接地参考点，精密基准U1的第1阴极引脚连接到电阻三（R3）的第二引脚，精密基准U1的第3引脚连接采样电路，精密基准U1的第2引脚通过电阻三（R3）的第一引脚与VCC电源电路的二极管二（D2）阴极连接。

4.根据权利要求3所述的MOSFET浪涌保护电路，其特征在于：所述的精密基准U1采用TL431芯片。

5.根据权利要求3所述的MOSFET浪涌保护电路，其特征在于：所述IC VCC电源电路包括二极管一（D1）和电容一（C1），所述的二极管一（D1）的阳极连接至三极管（Q2）的发射极引脚E，二极管一（D1）负极连接到电容一（C1）的正极和主控IC的VCC引脚；所述的电容一（C1）负极连接到接地参考点。

6.根据权利要求3所述的MOSFET浪涌保护电路，其特征在于：所述VCC电源电路包括二极管二（D2）、电容三（C3），所述的二极管二（D2）的阴极连接到电容三（C3）的正极，以及控制电路中的三极管（Q2）的集电极、电阻三（R3）第一引脚，电容三（C3）的负极和变压器绕组Vout2的第一引脚连接并至接地参考点；二极管二（D2）阳极连接到变压器绕组Vout2第二引脚。