[实用新型]一种MOSFET浪涌保护电路

说明书

本实用新型一种MOSFET浪涌保护电路，用于交流转直流开关电源中，包括MOSFET管、主控IC及连接主控IC的VCC引脚的IC VCC电源电路，MOSFET管的栅极连接主控IC的Gate引脚、源极接地、漏极接与母线电压Vbus连接的变压器一端，为IC提供直流电压供电的主控IC VCC电源电路的二极管一经电阻连接变压器另一绕组的Vout2端，还包括通过Vout2为IC VCC电源电路提供电源的VCC电源电路、控制主控IC供电电源通断的控制电路，该控制电路连在IC VCC电源电路和VCC电源电路之间。其在单级功率因数校正拓扑的LED驱动器中具有保护精度高，具备滞回功能，温度特性好等优点。

技术领域

本实用新型涉及电子线路技术领域，尤其是一种MOSFET浪涌保护电路。

背景技术

随着电力电子技术的发展，开关电源得到了广泛的研究和应用。雷电、电子设备启停或故障等原因，会引起交流源出现电压浪涌；母线电压升高时，如果没有及时将电源电路中MOSFET管保护，就容易造成MOSFET管故障或失效；另外在某些区域，电网电压会出现持续性升高，极端情况下可达到交流440V，在这种情况下，对系统的安全具有很大的威胁。因此需要一种MOSFET浪涌和过压保护电路，在交流源S发生浪涌的时候主动将MOSFET关断，在交流源S浪涌消失后，MOSFET恢复正常工作。避免损失，提高可靠性。

金属-氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其通道(工作载流子)的极性不同，可分为N型与P型 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

如图1所示，为现有保护电路结构原理图，MOSFET管Q1的栅极引脚连接主控IC的Gate引脚、源极引脚接地、漏极引脚接与母线电压Vbus连接的变压器一端，IC VCC电源电路的二极管一D1经电阻连接变压器另一绕组的Vout2端，靠外围电路钳位母线电压Vbus实现浪涌保护，如图1中，采用压敏电阻器MOV1实现钳位母线电压Vbus实现浪涌保护。此外围钳位电路中压敏电阻属于被动器件，用其来钳位母线电压Vbus，存在响应时间较长、离散性大等缺点；同时该电路没有关闭主控IC功能。交流源发生浪涌时MOSFET电压、电流应力非常高，导致可靠性下降。

CN201710709009.3涉及一种通讯网络电压电路的电磁兼容性及安规防护电路，包括：第一级浪涌防护电路，所述第一级浪涌防护电路的启动电压大于耐压阈值；第二级浪涌防护电路，设于所述第一级浪涌防护电路和所述第二端之间，包括浪涌保护单元和过流保护单元；所述浪涌保护单元的启动电压小于所述安规耐压测试规定的电压、大于市电电压；所述过流保护单元在流经的电流达到过流条件时断开，以避免所述浪涌保护单元被烧毁。本发明通过两级级浪涌防护电路进行浪涌防护，既能够满足EMC的浪涌防护要求，又能够满足UL 60950-1的上述耐压要求。

CN202010058052.X涉及一种保护电路、变频器装置及电器设备。保护电路包括过流保护电路、浪涌保护电路、滤波电路和干扰信号滤除电路，过流保护电流用于接入交流电源，浪涌保护电路连接过流保护电路，滤波电路连接浪涌保护电路，干扰信号滤除电路连接滤波电路，干扰信号滤除电路用于输出交流电。上述保护电路、变频器装置及电器设备，实现了过流保护，改善了变频器的电磁兼容性能，并可以消除电源浪涌电压，滤除干扰信号，提高了变频器的安全性和运行可靠性，降低了变频器的售后故障率，使用可靠性高。

发明内容

为克服现有技术的不足及存在的问题，本实用新型提供一种MOSFET浪涌保护电路，可有效解决开关电源交流源发生浪涌导致MOSFET损坏的弊端。