[实用新型]一种在基板上形成选择性发射极的制造装置有效
申请号: | 202021461158.6 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN212485350U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 凌步军;朱鹏程;袁明峰;吕金鹏;赵有伟;滕宇;孙月飞;冷志斌;冯高俊 | 申请(专利权)人: | 江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/064 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 225600 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基板上 形成 选择性 发射极 制造 装置 | ||
1.一种在基板上形成选择性发射极的制造装置,其特征在于,包括:
激光发射部,所述激光发射部发射出连续波或准连续波激光束;
光转换部,所述光转换部将所述激光束转换成相应的第一偏光或第二偏光;
偏光镜,所述偏光镜允许未经偏光的所述激光束和经过偏光的激光束中的一种透射通过,并同时阻止另一种通过;
光束扩大部,所述光束扩大部将经由所述偏光镜透射的激光束扩大至设定倍数;
熔融激光发出器,所述熔融激光发出器接受扩大后的激光束并发射出熔融激光束至基板上设定位置;
控制器,所述控制器与所述光转换部电性连接;
箱体,所述箱体上设置有冷却空气进口和出口;
架体,所述架体卡装在所述箱体内的阻尼条之间并与所述阻尼条通过减震螺栓相连接;
其中,所述激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、熔融激光发出器的底座均安装在架体上,所述控制器控制所述光转换部开启或关闭,以使所述熔融激光束在到达预设选择性发射极以外区域时关闭,在到达预设选择性发射极区域时开启。
2.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述制造装置还包括挡光部件和驱动装置,所述驱动装置驱动所述挡光部件动作,以切断或放行所述激光发射部和所述光转换部之间的激光束。
3.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述熔融激光发出器包括扫描振镜和聚光透镜。
4.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述光束扩大部包括变倍扩束镜。
5.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述架体上设置有两个相平行第一立板和第二立板,所述激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、熔融激光发出器的底座两端均通过调节式卡槽安装在所述第一立板和所述第二立板上。
6.根据权利要求5所述的制造装置,其特征在于,所述调节式卡槽包括:卡槽本体、阻尼件和至少两个调节体,所述阻尼件安装在所述卡槽本体的卡槽内,所述底座定位安装在所述阻尼件内,所述至少两个调节体从上往下抵靠压紧在所述底座上。
7.根据权利要求6所述的制造装置,其特征在于,所述底座上与所述调节体相对应的位置设置有凹槽,所述凹槽内安装有阻尼板,所述调节体螺纹连接安装在所述卡槽本体上,且端部顶紧在所述阻尼板上。
8.根据权利要求1所述的制造装置,其特征在于,所述熔融激光束的线宽大于10μm,且小于20μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的