[实用新型]一种在基板上形成选择性发射极的制造装置有效
申请号: | 202021461158.6 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN212485350U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 凌步军;朱鹏程;袁明峰;吕金鹏;赵有伟;滕宇;孙月飞;冷志斌;冯高俊 | 申请(专利权)人: | 江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/064 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 225600 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基板上 形成 选择性 发射极 制造 装置 | ||
本发明提供一种在基板上形成选择性发射极的制造装置,包括:激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、控制器、箱体和架体。激光发射部发射激光束;光转换部将激光束转换成相应的偏光;偏光镜允许未经偏光的激光束和经过偏光的激光束中的一种透射通过;光束扩大部将经由偏光镜透射的激光束扩大至设定倍数;熔融激光发出器接受扩大后的激光束并发射出熔融激光束至基板上设定位置;控制器与光转换部电性连接;其中上述各元器件的底座均安装在所述架体上,控制器控制光转换部开启或关闭,以使熔融激光束在到达预设选择性发射极以外区域时关闭,在到达预设选择性发射极区域时开启。本发明制造装置,不需要掩膜即可形成选择性发射极。
技术领域
本发明涉及激光制造领域,特别是一种在基板上形成选择性发射极的制造装置。
背景技术
选择性发射极电池被认为是改善太阳能电池的效率的有效方式,“选择性发射极(selective emitter)”是为了减少正面电极和发射器层之间的接触电阻,而在与正面电极相接的区域设置相对较厚发射器层的发射极结构,这种选择性发射极结构可以实现电极下面的横向结,减少少数载流子空穴在此电极区域的复合,还可以降低金属与半导体的接触电阻所以制作选择性发射极太阳能电池,可以大幅度提高太阳能电池的转换效率。
现有选择性发射极的制作多采用激光熔融加工,使熔融激光发出器发出的激光束沿着预设选择性发射极位置照射,使掺杂源层的掺杂物向下侧扩散,形成比低浓度发射器层浓度更高的选择性发射极层。然而用于形成选择性发射极的激光束通常采用连续波(continuous wave)激光束或准连续波(quasi continuous wave)激光束。但是,在多个预设选择性发射极线条之间移动时,有必要使激光束不能照射预设选择性发射极之外的区域。如果与选择性发射极无关的基板的区域受到损伤,则会影响整体太阳能电池产品的性能。但是对于连续波激光发射部的情况,其内部没有安装控制激光束的输出的开关,因此在选择性发射极的加工过程中难以进行开/关转换。因此,现有技术中,多在基板上侧布置掩膜以保护非选择性发射极区域,但是,掩膜的引用大大需要附加的工艺以对齐掩膜和基板,使得工艺的生产效率下降。因此需要提供一种可以进行自动开关的在基板上形成选择性发射极的制造装置,来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种在基板上形成选择性发射极的制造装置,用于解决现有在基板上形成选择性发射极的制造装置,无法自主实现激光束在选择性发射极区域与非选择性发射极区域的启闭切换,以保护非选择性发射极区域免收损害的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种在基板上形成选择性发射极的制造装置,包括:
激光发射部,所述激光发射部发射出连续波或准连续波激光束;
光转换部,所述光转换部将所述激光束转换成相应的第一偏光或第二偏光;
偏光镜,所述偏光镜允许未经偏光的所述激光束和经过偏光的激光束中的一种透射通过,并同时阻止另一种通过;
光束扩大部,所述光束扩大部将经由所述偏光镜透射的激光束扩大至设定倍数;
熔融激光发出器,所述熔融激光发出器接受扩大后的激光束并发射出熔融激光束至基板上设定位置;
控制器,所述控制器与所述光转换部电性连接;
箱体,所述箱体上设置有冷却空气进口和出口;
架体,所述架体卡装在所述箱体内的阻尼条之间并与所述阻尼条通过减震螺栓相连接;
其中,所述激光发射部、光转换部、偏光镜、光束扩大部、熔融激光发出器的底座均安装在架体上,所述控制器控制所述光转换部开启或关闭,以使所述熔融激光束在到达预设选择性发射极以外区域时关闭,在到达预设选择性发射极区域时开启。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的